插拔式同轴封装半导体激光器批量生产方法

    公开(公告)号:CN1276559C

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN03158482.9

    申请日:2003-09-12

    Inventor: 陈振宇 祝宁华

    Abstract: 一种插拔式同轴封装半导体激光器批量生产方法,包括如下步骤:a)将完成盖帽工序的半导体激光器装入夹具,写入标识码,相应的标识码写入中央数据库内;b)送入半导体激光器测试系统进行耦合前自动检测,检测数据写入中央数据库;c)进行耦合前筛选,合格产品送入下一工序;d)进行耦合焊接工作;e)送入半导体激光器测试系统进行耦合后自动检测,检测数据写入中央数据库;f)进行老化前筛选,合格产品送入下一工序;g)送入自动老化系统进行老化;h)送入半导体激光器测试系统进行老化后自动检测,检测数据写入中央数据库;I)进行老化后筛选,合格产品送入下一工序;J)对合格产品进行自动标识打印;K)合格的插拔式同轴封装半导体激光器产品下夹具,包装出厂。

    半导体激光器蝶形封装器件

    公开(公告)号:CN1207598C

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN02142104.8

    申请日:2002-08-26

    Inventor: 陈振宇 祝宁华

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光器蝶形封装器件,该器件包括:一蝶形管壳;一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面;一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上;管壳引脚固定在蝶形管壳两侧;用互连金丝连接硅热沉上的微波微带电路和管壳引脚。本发明能够快速简便可靠高效地进行半导体激光器蝶形封装器件的耦合封装,无需人工精确调整光纤位置,达到提高生产效率,降低生产成本的目的,并且器件的高频特性和温度稳定性也较好。

    半导体激光器V形槽固定光纤同轴器件

    公开(公告)号:CN1181369C

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN02142109.9

    申请日:2002-08-26

    Inventor: 陈振宇 祝宁华

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光器V形槽固定光纤同轴器件,其中包括:一管壳,该管壳为一圆形壳体;一管座固定在管壳的一端;一内支架固定在管壳内的管座的一面;一带有半导体激光器和光纤的硅热沉固定在内支架上;一背光探测器固定在管壳内的管座的一面;管座引脚插置在管座上;用互连金丝连接半导体激光器、背光探测器和管座引脚。本发明的有益效果是:能够快速简便可靠高效地进行半导体激光器同轴器件的耦合封装,无需人工精确调整光纤位置,达到提高生产效率,降低生产成本的目的。

    半导体激光器同轴器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1479456A

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN02142105.6

    申请日:2002-08-26

    Inventor: 陈振宇 刘宇 王欣

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光器同轴器件,其中包括:一管帽,该管帽为一圆形壳体;一管座固定在管帽的一端;一支架固定在管帽的一面且容置在管座内;一带有半导体激光器和光纤的硅热沉烧焊在管帽内支架上;一背光探测器直接烧焊在管座上;管座引脚插置在管座上;用互连金丝连接半导体激光器、背光探测器和管座引脚。本发明的有益效果是:选用结构简单价格低廉的管座作为产品的零部件,生产成本低,并且得到的半导体激光器同轴器件产品性能稳定可靠,生产效率高。

    半导体激光器蝶形封装器件

    公开(公告)号:CN1479125A

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN02142104.8

    申请日:2002-08-26

    Inventor: 陈振宇 祝宁华

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光器蝶形封装器件,该器件包括:一蝶形管壳;一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面;一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上;管壳引脚固定在蝶形管壳两侧;用互连金丝连接硅热沉上的微波微带电路和管壳引脚。本发明能够快速简便可靠高效地进行半导体激光器蝶形封装器件的耦合封装,无需人工精确调整光纤位置,达到提高生产效率,降低生产成本的目的,并且器件的高频特性和温度稳定性也较好。

    具有自动识别装置的同轴封装半导体激光器耦合用夹具

    公开(公告)号:CN1293402C

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN200310101471.3

    申请日:2003-10-20

    Inventor: 陈振宇 祝宁华

    Abstract: 一种具有自动识别装置的同轴封装半导体激光器耦合用夹具,包括:一夹具基座为矩形壳体;一TO管夹持具,该TO管夹持具为两矩形片体,该TO管夹持具中的一片固定在夹具基座的顶端,另一片可在夹具基座的顶端自由滑动;一对弹簧连接着TO管夹持具的两片体;一对推把位于TO管夹持具的可滑动片体的两端侧,与该可滑动片体成为一体;一插座,该插座内有4个插孔,该插座固定在夹具基座的顶端,而位于TO管夹持具的两片体的中间;在夹具基座的下部的一条棱边制作出一个定位缺口;若干方形接触电极固定在夹具基座底面上并相互绝缘;一电子识别芯片固定在夹具基座矩形壳体的内部;一识别条形码,该识别条形码贴附在夹具基座的侧面。

    自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件

    公开(公告)号:CN1208884C

    公开(公告)日:2005-06-29

    申请号:CN02146846.X

    申请日:2002-10-15

    Inventor: 陈振宇

    Abstract: 本发明一种自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件,该器件包括:一蝶形管壳;一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面;一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上;管壳引脚固定在蝶形管壳两侧;用互连金丝连接硅热沉上的微波微带电路和管壳引脚。该器件能够达到快速简便的进行半导体激光器与光纤的耦合工作,耦合速度快,生产效率高,生产成本低,并且温度稳定性也较好。

    半导体激光器热沉
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1617401A

    公开(公告)日:2005-05-18

    申请号:CN200310116537.6

    申请日:2003-11-14

    Abstract: 本发明一种半导体激光器热沉,其中包括:一热沉;一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面;一地电极位于热沉的下表面;一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内,并贯穿金属电极、整个热沉及地电极;一金锡焊料柱位于导通孔内。

    自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件

    公开(公告)号:CN1490908A

    公开(公告)日:2004-04-21

    申请号:CN02146846.X

    申请日:2002-10-15

    Inventor: 陈振宇

    Abstract: 本发明一种自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件,该器件包括:一蝶形管壳;一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面;一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上;管壳引脚固定在蝶形管壳两侧;用互连金丝连接硅热沉上的微波微带电路和管壳引脚。该器件能够达到快速简便的进行半导体激光器与光纤的耦合工作,耦合速度快,生产效率高,生产成本低,并且温度稳定性也较好。

    氮化镓基激光器的制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119742659A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202510017054.7

    申请日:2025-01-06

    Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法,可应用于氮化镓半导体激光器技术领域。该方法包括:提供氮化镓衬底;在氮化镓衬底上依次生长氮化镓缓冲层,下限制层,下波导层,有源区,上波导层,电子阻挡层,新型上限制层,新型p型氮化镓层,欧姆接触层,得到外延结构;以及制备电极,其中,新型上限制层和新型p型氮化镓层的生长方法为分步掺杂法;新型上限制层和新型p型氮化镓层的结构为超晶格结构。通过分步掺杂法以及超晶格极化诱导掺杂法提高了低生长温度下的Mg杂质的掺入效率以及离化效率,能够在较低生长温度下实现大的Mg掺杂浓度以及高空穴浓度,从而实现低温p型AlGaN以及GaN层的制备,提高氮化镓基蓝绿光激光器的光电性能。

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