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公开(公告)号：CN104882788A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510329218.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
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公开(公告)号：CN102732955B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210211614.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽(16)。本发明提供的用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，简单易行，对样品大小及形状没有限制、传热性能好、样品无遮挡。
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公开(公告)号：CN104362507A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410687356.7
申请日：2014-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种双面散热量子级联激光器器件结构，包括：衬底；有源区，其均匀生长在衬底的上表面；上波导，其均匀生长在有源区的上表面；正面金属电极层，其均匀生长在上波导上表面；热沉，其与器件的上波导层通过所述正面金属电极层键合连接；绝缘层，其均匀的覆盖在半导体激光器的脊波导两侧，且脊波导的脊表面开有电注入窗口；背面金属电极层，其均匀生长在绝缘层的外表面，作为激光器的背面电极；电镀金属层，其分布在脊波导的两侧，且与背面金属电极层实现电隔离，作为激光器的正面电极；图形化布线热沉，其通过焊料层分别与背面金属电极层和电镀金属层连接。
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公开(公告)号：CN102735157A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211816.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B7/26
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法，该装置包括：一支撑板(1)；一欧姆表(2)；两条连接导线(3)，该两条连接导线(3)分别连接在欧姆表(2)的两个接口；四个固定孔(4)，该四个固定孔(4)开在在支撑板(1)上，并排成一行；两个固定支架(5)，该两个固定支架通过四个固定孔(4)固定在支撑板(1)上；两个探针(6)，该两个探针(6)通过尾部的螺旋孔分别固定在两个固定铜支架(5)上。本发明提供的这种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及其方法，具有制作简单，成本低，灵敏度高的优点，能够有效保证具有不同掺杂平面的半导体多层结构腐蚀程度。
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公开(公告)号：CN101916965B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630812B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810116832.4
申请日：2008-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。
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公开(公告)号：CN101026287A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610003179.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
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公开(公告)号：CN1713357A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410049950.X
申请日：2004-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及氮气管。采用三电极的电化学体系，该三电极分别是辅助电极、参比电极、工作电极。电化学腐蚀工艺方法包括如下步骤：(A)磷化铟基片解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；(B)然后去除磷化铟基片表面的氧化层；(C)再进行电化学池的安装；(D)之后通氮气15分钟；(E)最后施加电压进行腐蚀。本发明适用于多孔磷化铟或砷化镓阵列等多孔半导体材料的制备。
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公开(公告)号：CN118693617A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410944522.0
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种高功率窄线宽量子级联激光器，从下至上依次包括：背面电极、衬底（1）、下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）、上波导层（8）、高掺层（9）、氧化硅绝缘层（10）和正面电极（11）；其中，下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）及上波导层（8）的两侧被刻蚀形成单脊波导结构，下限制层（4）、有源层（5）及上限制层（7）被刻蚀形成的两个侧壁刻蚀形成一阶侧壁光栅，单脊波导结构两侧被刻蚀形成的沟道外延生长了InP：Fe半绝缘外延层。本公开还提供了用于制作该高功率窄线宽量子级联激光器的制作方法。
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公开(公告)号：CN118169066A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410302174.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成中红外多波长原位光谱检测器件及其制备方法，包括：量子级联激光器增益区，用于形成中红外光源，其中中红外光源为包括在N个波长处具有高边模抑制比的激光，且每种波长对应一种待测物的特征吸收峰；阵列波导光栅无源波导区，用于将中红外光源的N种波长进行分离，以得到N束分光；被测物质吸收区，包含N个介电负载表面等离子波导，两端分别与阵列波导光栅无源波导区对应输出波导和对应后续探测器相连接；以及量子级联探测器响应区，经被测物质吸收区的光入射到量子级联探测器中，反映出其入射波长对应的被测物有无或浓度变化的信息，可被测物的检测结果，其中，N为大于1的整数。
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