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公开(公告)号：CN117075441A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311043873.6
申请日：2023-08-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20 , C23C16/455 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供一种自对准双重图形成像的修正方法及修正图形结构，该方法包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、阻挡层、含碳硬掩模层、含硅抗反射层和感光膜层；S2，对感光膜层进行曝光显影，得到光刻图形结构；S3，将光刻图形结构依次刻蚀传递至含硅抗反射层和含碳硬掩模层，除去含碳硬掩模层的上层材料，得到轴芯图形结构；S4，利用自对准双重图形成像方法在轴芯图形结构的侧壁、表面以及阻挡层的表面形成间隔层，刻蚀去除轴芯图形结构表面和阻挡层表面的间隔层，并去除轴芯图形结构，得到周期减半的间隔层图形结构；S5，利用区域选择性原子层沉积方法只在间隔层的侧壁和表面上沉积修正材料，完成修正过程。
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公开(公告)号：CN114114481B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111538112.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜的制备方法，包括：对第一衬底上的第一材料层进行光刻，得到光栅结构；交替沉积第二、第三材料层，直至将光栅结构填平，得到第一过渡结构，第二、第三材料层中一种为金属，另一种为介质；对第一过渡结构进行平坦化，其深度至少达到光栅结构的顶部，得到第二过渡结构；将其上表面与第二衬底进行固化；去除第一衬底，使第二过渡结构翻转至第二衬底上，得到第三过渡结构；再次进行平坦化，平坦化的深度至少达到最后一次沉积的第二材料层或第三材料层的顶部，得到基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜。本公开得到的超分辨透镜，入射光只沿着金属‑介质界面处传输，有效提升了能量利用效率。
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公开(公告)号：CN111272771B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010150475.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高分辨颗粒检测装置，属于颗粒检测的创新技术领域。该装置包括用于隔离人员和空气等扰动与污染的隔离罩；用于支撑和定位连接各分系统的支架；用于承载测试样片、调节样片与成像系统共轴、检测区域定位和大面积检测步进拼接的工件台系统；用于物镜切换、自动聚焦、检测成像的成像系统；用于颗粒检测照明的照明系统；用于控制工件台系统精密定位、控制物镜切换与自动聚焦、图像采集与处理的控制系统。该装置基于暗场成像的原理，通过收集颗粒的散射光进行成像，进而实现获取样片上颗粒的尺寸与分布信息的能力。
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公开(公告)号：CN115857285A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211702747.2
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种浸没式超分辨光刻方法，包括：在基底上制备依次叠设的反射金属层、感光层及表层金属层；选择包括图形区和非图形区的光刻掩模版，光刻掩模版的非图形区形成有导液槽；将光刻掩模版置于表层金属层上方，在表层金属层与光刻掩模版之间填充浸没液体，调节光刻掩模版与表层金属层之间的间隙距离至预定间隙范围内，其中，多余的浸没液体通过导液槽导出；基于光刻掩模版对感光层进行超分辨光刻，显影得到超分辨光刻图形结构。该浸没式超分辨光刻方法通过在光刻掩模版与成像结构之间引入浸没液体，能够提高光刻掩模版与成像结构之间传输介质的折射率，进而能够提高光刻图形的对比度和分辨率。
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公开(公告)号：CN115826344A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211703277.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种成像对比度增强掩模及其制备方法，成像对比度增强掩模包括：掩模基底；吸收层，形成于掩模基底上，其中，吸收层的图形区中形成有尖端掩模图形结构，吸收层的材料为贵金属材料。该成像对比度增强掩模利用贵金属和尖端形状双重增强表面等离子体的激发，从而提升图形的成像对比度，实现高分辨率图形的加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440707A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211147128.1
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L23/544 , G03F9/00
Abstract: 本公开提供一种对准标记结构及其形成方法，该对准标记结构包括：衬底(1)；标记区(2)，包括对准结构(2‑2)和倒角结构层(2‑1)；对准结构(2‑2)形成于衬底(1)中，为凹陷结构；倒角结构层(2‑1)形成于衬底(1)的表面，为凸出结构，倒角结构层(2‑1)在对准结构(2‑2)的边缘形成凸起的倒角结构；非标记区(6)，围绕标记区(2)的外围设置，非标记区(6)的上表面低于标记区(2)中倒角结构层(2‑1)的下表面。本公开的对准标记结构能够有效提升对准标记检测的清晰度与对比度。
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公开(公告)号：CN115440650A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211147087.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/687 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种柱销式衬底保持器及其制备方法，该制备方法包括：S1，在低面形起伏的基底(1)上依次形成金属掩蔽层(2)、有机保护层(3)和感光层(4)；S2，对感光层(4)进行曝光、显影，得到柱销式结构；S3，依次刻蚀有机保护层(3)、金属掩蔽层(2)，将柱销式结构转移至有机保护层(3)、金属掩蔽层(2)中；S4，使用腐蚀液对基底(1)进行腐蚀，将柱销式结构继续转移至基底(1)中，基底(1)中柱销式结构的上表面保持了基底(1)初始的低面形起伏；S5，去除感光层(4)、有机保护层(3)和金属掩蔽层(2)，得到柱销式衬底保持器。本公开的方法基于微纳加工技术可以制备出大面积、高平整度的柱销式衬底保持器。
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公开(公告)号：CN115440576A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211219249.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种衬底上光刻结构的返工清洗方法，返工的光刻结构自下而上包括衬底、有机底层结构层、硅氧基硬掩模中间结构层、光刻胶层，该方法包括：S1，利用干法刻蚀或湿法清洗去除光刻胶层；S2，利用反应离子刻蚀去除硅氧基硬掩模中间结构层；S3，利用电感耦合等离子体刻蚀去除有机底层结构层；S4，利用反应离子刻蚀对衬底表面的残留微粒进行倾斜刻蚀，以减小残留微粒与衬底的接触面积；S5，将S4所得的衬底依次置于有机溶剂中浸泡、去离子水中清洗；S6，将S5所得的衬底置于加热的浓硫酸与过氧化氢混合溶液中浸泡，以去除倾斜刻蚀后的残留微粒；再使用去离子水清洗，完成返工清洗。本公开的方法能有效去除残留微粒，使衬底达到重复利用的标准。
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公开(公告)号：CN115261813A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210941426.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法，该多晶银薄膜的制备方法包括：S11，获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线；S12，获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线；S13，基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数，根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比；S14，根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体，在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN115079506A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210701458.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，包括：S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；S2，向掩模图形结构中填充透明介质材料；S3，对S2中所得掩模进行退火处理；S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充，增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度，从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命，同时降低了掩模加工成本，拓展了接触式光刻技术的应用范围。
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