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公开(公告)号：CN112437535B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011204895.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高稳定性的射频前端，属于射频前端技术领域，包括多层电路板、芯片、垂直过渡结构、介质围框，实现了射频前端在高频高集成要求下的高稳定工作。所述多层电路板，为含有射频传输线层、控制线层、电源网络层以及隔离地层的多层介质板，与芯片通过焊球及散热衬底互连，实现电气与热传输；芯片为功率放大器、LNA、射频开关、幅相控制芯片、功分器芯片等；垂直过渡结构为与带状传输线连接的垂直金属连接孔，介质围框与多层电路板的介质材料相同，四周有垂直金属接地孔，制备在芯片腔的外围，形成一定高度的隔离边界。本发明有效地提高了射频前端模块以及应用系统的性能与工作稳定性。
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公开(公告)号：CN113871900A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111135903.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 一种高角度分辨率的二维MIMO阵列天线及其组阵方法属于多输入多输出阵列天线技术领域，解决如何在射频信号处理芯片与天线单元物理尺寸相差较大的情况下设计一种高角度分辨率的二维MIMO阵列天线的问题，本发明的技术方案实现了接收天线阵列、发射天线阵列、接收天线微带传输线、发射天线微带传输线、射频信号处理芯片在单层印刷电路基板的同一表面上集成设计，并且等效虚拟阵列无重叠的虚拟阵元，实现了阵元通道数的最大化使用，节约了通道资源具有很高的系统效率。
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公开(公告)号：CN113013605B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110125247.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于扇出封装的多馈封装天线，涉及封装天线技术领域。本发明在所述封装层下方设置第一钝化层，并在第一钝化层设置第一重布线层和第二重布线层来完成多馈封装天线结构。将芯片多个通道的连接端连接到封装天线的天线馈电结构，该天线馈电结构所在的金属层用封装中的第一重布线层来完成，而第二重布线层主要用于实现封装天线。由于采用同轴馈电方式，即用两层重布线层，可在天线上实现多端口功率合成功能，实现宽波束性能，同时可以消除有耗功率合成器所带来的损耗和工作带宽小的特点，其工作带宽和波束带宽将与单个天线几乎一样宽，从而可以有效地减小系统体积和成本，提高了系统的等效全向辐射功率。
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公开(公告)号：CN112953403B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110218903.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器及功率控制方法，属于射频集成电路技术领域，包括第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元，功率分配网络、功率合成网络、偏置开关控制单元。本发明通过控制单级放大单元特定MOS管工作或者不工作来调节输出功率，具体到某个MOS管来说，只有工作与不工作两种状态，通过提高多个可控通断的晶体管的数量，实现多档位可调；在最高输出功率档位时，功率放大器工作的晶体管全部工作，此时工作电流最大，输出功率降低，功率放大器工作的晶体管数目随之减少，功耗也随之降低；相比于基于衰减器的功率控制方式，低输出功率工作时功耗更低，效率更高。
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公开(公告)号：CN113131926A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110313362.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03K19/094 , H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种高线性度幅相控制接收前端电路，属于射频集成电路设计技术领域，包括首级驱动放大模块、衰减模块、移相模块、末级增益补偿模块、输入匹配巴伦、输出匹配巴伦、多个级间匹配变压器。本发明由于采用CMOS工艺，相比GaAs在成本上具有优势；由于电路移相器采用有源矢量调制，相比无源结构的移相器，面积更小；由于电路采用全差分结构，能够抑制共模干扰，减小键合线电感的影响，同时具有ESD保护作用；由于电路首级采用驱动放大器，线性度高，同时优化级间匹配，后仿真标明，本接收前端电路在工作频段输入P‑1为‑2dBm，值得被推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013583A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110127024.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供了一种毫米波雷达封装模组，涉及封装天线技术领域。本发明通过在封装体内封装多个天线单元，以组成天线阵列，而相比于现有的单路天线，本发明的天线阵列在雷达系统的分辨率上具有优势，可以大大提高系统的分辨率和实现波束扫描。雷达封装模组集成了多个天线单元和芯片于一个封装体内，从而减小了雷达模组的尺寸和成本，提高了系统的集成度，同时提升了模组的安装便利性。
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公开(公告)号：CN112904284A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110165604.1
申请日：2021-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G01S7/28
Abstract: 本发明提供一种毫米波雷达收发系统及雷达，涉及雷达技术领域。本发明通过本振传输线连接两块相同的第一雷达收发芯片和第二雷达收发芯片，本振传输线连接第一雷达收发芯片的第一本振输出端口和第二雷达收发芯片的第二本振输入端口。在本发明中，两颗雷达收发芯片通过本振传输线级联，实现一种六通道发射(6T)/八通道接收(8R)的毫米波雷达收发系统，提高了信号吞吐量，利用第一雷达收发芯片上的第一本振产生及倍频模块作为频率源，为两块雷达收发芯片提供本振信号，两颗雷达收发芯片级间本振信号通过本振传输线传输，整个雷达系统实现了宽带调频、高速调频和高功率输出，简化了雷达系统的设计，提高了集成度，降低了雷达系统的成本。
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公开(公告)号：CN110474608A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910827150.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的宽带正交相位产生网络，第一单端网络和第二单端网络，第一单端网络包括第一变压器TF1，第二单端网络包括第二变压器TF2，第一变压器TF1的第一主级线圈和第一次级线圈之间跨接若干个电容，第二变压器TF2的第二主级线圈和第二次级线圈之间跨接若干个电容，第一主级线圈的同名端与第二主级线圈的同名端之间跨接一个电容，第一主级线圈的异名端与第二主级线圈的异名端之间跨接一个电容，第一次级线圈的同名端与第二次级线圈的异名端之间跨接一个电容，第一次级线圈的异名端与第二次级线圈的同名端之间跨接一个电容；本发明的优点在于：工作频带宽、网络面积小以及网络完全对称。
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公开(公告)号：CN110380689A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910652470.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种侧边耦合蜿蜒结构的硅基片上无源巴伦包括初级导线和次级导线，所述初级导线和所述次级导线均设置于同一金属层上，所述初级导线和所述次级导线均以中心线为对称轴分成间隔布置的左右两个部分。所述初级导线的左右两个部分和所述次级导线的左右两个部分均为平面U型连续的折弯蜿蜒结构，所述初级导线和所述次级导线均设有两个内端口和两个外端口；本发明采用侧边耦合和蜿蜒型结构，使整体结构具有较好的差分平衡性的同时，减小了片上电路面积，电路结构简单，面积紧凑。
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公开(公告)号：CN105161468A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510661103.7
申请日：2015-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/492 , H01L23/528
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/568 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24195 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明提供一种射频芯片及其无源器件的封装结构，包括塑封体(4)以及RDL再布线层(5)，所述RDL再布线层(5)设置在塑封体(4)的表面，射频芯片(1)及无源器件(2)塑封在塑封体(4)内。本发明还提供一种上述封装结构的封装方法。本发明的优点在于：通过本发明，能够将一个或多个射频芯片以及相关的分立器件集成于一个塑封体中，制成一个具有系统级功能的单塑封体。并且消除现有封装技术所带来的寄生效应。
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