一种可扩展毫米波相控阵单元及制备方法及有源天线阵面

    公开(公告)号:CN114122675B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202111358366.2

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开一种可扩展毫米波相控阵单元及制备方法及有源天线阵面,包括从上到下依次设置的第一层玻璃衬底、第二层玻璃衬底和介质层,第二层玻璃衬底内设置有半导体器件层,第一层玻璃衬底远离第二层玻璃衬底的端面上设置若干天线单元,介质层远离第二层玻璃衬底的端面上设置有若干BGA阵列,BGA阵列与半导体器件层、天线单元均连接;本发明将天线与射频有源电路集成在一起,形成片上天线,采用石英玻璃作为天线的衬底,具有介电常数低,与半导体工艺兼容等优点,满足毫米波单元的高精度加工要求;与传统的天线集成工艺相比,大大缩短了天线与射频前端之间的距离,减小了用于连接天线与电路的键合线引入的寄生电容等寄生参数,减小了互连损耗。

    一种可扩展毫米波相控阵单元及制备方法及有源天线阵面

    公开(公告)号:CN114122675A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111358366.2

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开一种可扩展毫米波相控阵单元及制备方法及有源天线阵面,包括从上到下依次设置的第一层玻璃衬底、第二层玻璃衬底和介质层,第二层玻璃衬底内设置有半导体器件层,第一层玻璃衬底远离第二层玻璃衬底的端面上设置若干天线单元,介质层远离第二层玻璃衬底的端面上设置有若干BGA阵列,BGA阵列与半导体器件层、天线单元均连接;本发明将天线与射频有源电路集成在一起,形成片上天线,采用石英玻璃作为天线的衬底,具有介电常数低,与半导体工艺兼容等优点,满足毫米波单元的高精度加工要求;与传统的天线集成工艺相比,大大缩短了天线与射频前端之间的距离,减小了用于连接天线与电路的键合线引入的寄生电容等寄生参数,减小了互连损耗。

    一种基于TSV转接板的射频前端结构及系统

    公开(公告)号:CN111524866A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010402763.4

    申请日:2020-05-13

    Inventor: 季宏凯 刘勇

    Abstract: 本发明公开了一种基于TSV转接板的射频前端结构及系统,属于射频封装技术领域,包括从下到上依次设置的BGA阵列、至少一个TSV转接板、TSV通孔、键合层、器件和硅封帽,所述TSV通孔设置在所述TSV转接板上,所述BGA阵列设置在所述TSV转接板背面并通过所述TSV通孔及再布线技术与所述TSV转接板正面的器件电连接,所述器件设置在所述TSV转接板正面并与其电连接,所述硅封帽通过所述键合层与所述TSV转接板键合。本发明利用了TSV三维集成封装技术,可用于雷达,电子对抗,通信等射频系统,特别是用于对小型化、轻量化的要求十分高的机载环境中;大幅降低了射频系统的体积和重量,为高效费比、微型化、高性能的新型射频系统的发展提供技术支撑。

    一种小型化射频前端结构及系统

    公开(公告)号:CN212033012U

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202020789999.3

    申请日:2020-05-13

    Inventor: 季宏凯 刘勇

    Abstract: 本实用新型公开了一种小型化射频前端结构及系统,属于射频封装技术领域,包括从下到上依次设置的BGA阵列、至少一个TSV转接板、TSV通孔、键合层、器件和硅封帽,所述TSV通孔设置在所述TSV转接板上,所述BGA阵列设置在所述TSV转接板背面并通过所述TSV通孔及再布线技术与所述TSV转接板正面的器件电连接,所述器件设置在所述TSV转接板正面并与其电连接,所述硅封帽通过所述键合层与所述TSV转接板键合。本实用新型利用了TSV三维集成封装技术,可用于雷达,电子对抗,通信等射频系统,特别是用于对小型化、轻量化的要求十分高的机载环境中;大幅降低了射频系统的体积和重量,为高效费比、微型化、高性能的新型射频系统的发展提供技术支撑。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种可扩展毫米波相控阵单元及有源天线阵面

    公开(公告)号:CN216251116U

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202122807933.X

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本实用新型公开一种可扩展毫米波相控阵单元及有源天线阵面,包括从上到下依次设置的第一层玻璃衬底、第二层玻璃衬底和介质层,第二层玻璃衬底内设置有半导体器件层,第一层玻璃衬底远离第二层玻璃衬底的端面上设置若干天线单元,介质层远离第二层玻璃衬底的端面上设置有若干BGA阵列,BGA阵列与半导体器件层、天线单元均连接;本实用新型将天线与射频有源电路集成在一起,形成片上天线,采用石英玻璃作为天线的衬底,具有介电常数低,与半导体工艺兼容等优点,满足毫米波单元的高精度加工要求;与传统的天线集成工艺相比,大大缩短了天线与射频前端之间的距离,减小了用于连接天线与电路的键合线引入的寄生电容等寄生参数,减小了互连损耗。

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