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公开(公告)号：CN1779961A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510118099.6
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/351 , Y10S438/978 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1755917A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107031.8
申请日：2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/48
CPC classification number: H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，本发明的目的是不用观察其剖面也能够确认形成在半导体衬底上的开口部的形成状态。本发明的半导体装置，从衬底背面形成开口部，使形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)露出，并通过该开口部在所述焊盘电极(3)上形成配线层(10)而构成，其特征在于，具有用于监视所述开口部的形成状态的监视开口部(6b)。
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公开(公告)号：CN1658387A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN1658368A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009363.2
申请日：2005-02-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种抑制生产性极其低下和开口形状恶化的蚀刻方法，其具有如下工序：在半导体衬底(1)的表面粘接支承板(5)，覆盖介由氧化硅膜(2)形成在上述半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；形成通孔(9)，从上述半导体衬底(1)的背面到达上述焊盘电极(3)的表面。该蚀刻方法还具有如下工序：使用至少含有SF6和O2的蚀刻气体对上述半导体衬底(1)形成第一开口(7)直到上述氧化硅膜(2)不露出的位置；使用至少含有C4F8和SF6的蚀刻气体对上述半导体衬底(1)形成第二开口(8)直到上述氧化硅膜(2)露出的位置。
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公开(公告)号：CN1532938A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410007206.3
申请日：2004-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/14618 , H01L27/14685 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10157 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其为薄型及小型，且机械强度及耐湿性优异。半导体装置(10A)由密封树脂(13)密封具有受光部或发光部的光半导体元件(14)，形成包覆光半导体元件(14)的表面的包覆层(12)由密封树脂(13)的表面露出的结构。因此，和利用透明树脂密封整体的现有例比较，可以形成薄的密封树脂(13)，可以使装置整体的厚度变薄。而且使用混入了填料的密封树脂，构成半导体装置(10)。由此可以形成具有优异的机械强度和耐湿性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1318655A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01112376.1
申请日：2001-02-28
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社
Inventor： 龟山工次郎
Abstract: 由于环境保护的要求,需要无铅的软钎料电镀。为了适应这种需求,提供了简便的无铅的软钎料电镀方法。将导电部件21依次浸渍在第1电镀液和第2电镀液中,施加不同金属材料的2层电镀膜22和23,所述的第1电镀液和第2电镀液,除了金属材料及溶解这些金属材料的酸性溶剂以外,形成相同的液构成。由此实现不需要水洗用液槽而且容易进行电镀液的浓度管理的电镀方法。
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