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公开(公告)号:CN1855469A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610074701.5
申请日:2003-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a),在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3),在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后,设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且,在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而,可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
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公开(公告)号:CN1601743A
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN200410082561.7
申请日:2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有:与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜;与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线;从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号:CN1581428A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410056261.1
申请日:2004-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法,提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域,防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后,沿切割线形成切口(30),再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此,能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
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公开(公告)号:CN1501462A
公开(公告)日:2004-06-02
申请号:CN200310114840.2
申请日:2003-11-07
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/78 , H01L27/14683 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其特征在于:包括:在形成多个集成电路的半导体基板上,通过绝缘树脂,粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序;至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序;切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序,而且,一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。
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公开(公告)号:CN1453865A
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN03122991.3
申请日:2003-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L2224/05548 , H01L2224/05556 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a),在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3),在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后,设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且,在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而,可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
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