公开(公告)号：CN110246972A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171031.6

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宰准 ,  李相陈 ,  张银珠 ,  权河一 ,  丁大荣

IPC: H01L51/50

Abstract: 公开了量子点器件和电子装置，所述量子点器件包括彼此面对的阳极和阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点层、以及设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层，其中所述量子点层包括在可见区域中的波长区域的至少一部分中发射光的发射量子点和在可见区域中不发射的非发射量子点，且所述非发射量子点和电子传输层的LUMO能级之间的差值大于或等于约0.5eV。

公开(公告)号：CN109817815A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811275891.6

申请日：2018-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星祐 ,  金泰豪 ,  张银珠 ,  徐弘圭 ,  李相陈 ,  丁大荣 ,  O.曹

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及量子点器件和显示设备。量子点器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点层，和在所述量子点层与所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括第一纳米颗粒和比所述第一纳米颗粒大的第二纳米颗粒，其中所述第一电极的功函大于所述第二电极的功函，和其中所述量子点层的最低未占分子轨道能级与所述电子辅助层的最低未占分子轨道能级之间的差值小于约1.1电子伏。

公开(公告)号：CN109239974A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810952629.4

申请日：2014-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元那渊 ,  康玄雅 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  O.曹

IPC: G02F1/13357

Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。

公开(公告)号：CN108865109A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810447024.X

申请日：2018-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  张银珠 ,  康玄雅 ,  金泰亨

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H01L51/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  H01L51/502 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/025

Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。

公开(公告)号：CN108110144A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711176209.3

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： O.曹 ,  安珠娫 ,  张银珠 ,  丁大荣 ,  康玄雅 ,  金泰亨 ,  禹轮成 ,  李晶姬 ,  田信爱

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/703 ,  C09K11/883 ,  C09K2211/188 ,  G02B6/005 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95 ,  Y10T428/1036 ,  Y10T428/1041 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301

Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。

公开(公告)号：CN107663452A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710628516.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权秀暻 ,  金龙郁 ,  张银珠 ,  闵智玄

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H01L33/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  H01L33/18 ,  C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/025 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507

Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。

公开(公告)号：CN101241727A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005438.3

申请日：2008-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  西蒙·比尔曼 ,  田信爱 ,  左圣薰 ,  张银珠 ,  金容宽

IPC: G11B9/10

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。

公开(公告)号：CN1655057A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410102383.X

申请日：2004-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟辰 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  安傣琼 ,  李晟熏

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08F2/28 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/027 ,  H01L51/426 ,  H01L51/502 ,  Y02E10/549 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机－无机混合电致发光装置中。

公开(公告)号：CN1355160A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN01136549.8

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国化学研究院

Inventor： 李秉鲁 ,  张银珠 ,  李正浩 ,  金烔录 ,  韩尧翰 ,  申铉宽 ,  李昊宣

IPC: C07C31/20 ,  C07C27/06

CPC classification number: C07C29/149 ,  B01J23/72 ,  C07C31/205

Abstract: 本发明涉及一种由3－羟基酯制备1,3－链烷二醇的方法。更具体地说,本发明涉及一种由3－羟基酯制备1,3－链烷二醇的方法,其包括在含醇溶剂中、在新的氢化催化剂的存在下氢化该3－羟基酯,其中所述的含醇溶剂是纯的醇或混合溶剂,该混合溶剂由醇和高沸点溶剂构成,所述高沸点溶剂在比1,3－链烷二醇高的温度下沸腾,并且所述催化剂是通过向含有铜盐的水溶液中加入碱性沉淀剂,如碱金属碳酸盐或氢氧化钠形成颗粒来制备,随后向其中加入胶体二氧化硅后陈化该颗粒。按照本发明的方法,可以从3－羟基酯以高收率选择性地制备1,3－链烷二醇。

公开(公告)号：CN1330064A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01118018.8

申请日：2001-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉鲁 ,  郑仁善 ,  张银珠

IPC: C07C69/34 ,  C07C69/716 ,  C07C67/36

CPC classification number: C07C67/313 ,  C07C67/37 ,  C07C69/38 ,  C07C69/716 ,  C07C69/675

Abstract: 本发明涉及制备丙二酸酯衍生物或β－酮酸酯的制法,包括步骤(a)将环氧化物与CO和醇在溶剂中在钴催化剂和助催化剂存在下在30－150℃和50－3000psig压力下反应来生产中间体β－羟基酯及其衍生物,产率为2－98重量%;(b)将得到的产物和溶剂从催化剂和助催化剂中分离出来;(c)将产物在氧化催化剂和助催化剂存在下于10－350℃与压力为5－3000psig的氧或含氧气体反应来生产丙二酸单甲酯或β－酮酸酯;及(d)将得到的丙二酸单酯与在醇或蒸馏水中的酸或碱反应来生产丙二酸衍生物。