量子点器件和电子装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110246972B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN201910171031.6

    申请日:2019-03-07

    Abstract: 公开了量子点器件和电子装置,所述量子点器件包括彼此面对的阳极和阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点层、以及设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层,其中所述量子点层包括在可见区域中的波长区域的至少一部分中发射光的发射量子点和在可见区域中不发射的非发射量子点,且所述非发射量子点和电子传输层的LUMO能级之间的差值大于或等于约0.5eV。

    量子点器件和电子设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118265340A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311791306.9

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括:阳极和阴极;设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,所述发光层包括量子点;设置在所述阳极和所述发光层之间的第一空穴辅助层,所述第一空穴辅助层包括聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩)‑聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)或其衍生物;设置在所述第一空穴辅助层和所述发光层之间并且包括与所述第一空穴辅助层的材料不同的空穴传输材料的第二空穴辅助层,其中所述第一空穴辅助层具有面对所述阳极的第一表面和面对所述第二空穴辅助层的第二表面,且所述第一空穴辅助层在所述第二表面处包括表面改性区域,所述表面改性区域包括具有羧酸基团、膦酸基团、磺酸基团、或其盐的表面改性材料。

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