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公开(公告)号：CN110551495A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910467626.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开半导体纳米晶体-配体复合物和包括该复合物的电子装置。所述半导体纳米晶体-配体复合物包括半导体纳米晶体和包含配位在所述半导体纳米晶体的表面上的有机配体的配体层，其中所述有机配体包括具有共轭结构的部分、以及连接至所述具有共轭结构的部分的第一官能团(X)和第二官能团(Y)，其中所述第一官能团(X)结合至所述半导体纳米晶体的表面，且所述第二官能团(Y)在相对于所述第一官能团(X)的邻位处存在。
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公开(公告)号：CN109817772A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811207676.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN110265555B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910184028.8
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/16
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个发光颗粒的发射层、设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括设置在所述发射层上并且包含多个无机纳米颗粒的无机层和直接设置在所述无机层的在与所述发射层相反的侧上的上表面的至少一部分上的有机层，其中所述有机层的功函高于所述无机层的功函。
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公开(公告)号：CN110551495B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910467626.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开半导体纳米晶体‑配体复合物和包括该复合物的电子装置。所述半导体纳米晶体‑配体复合物包括半导体纳米晶体和包含配位在所述半导体纳米晶体的表面上的有机配体的配体层，其中所述有机配体包括具有共轭结构的部分、以及连接至所述具有共轭结构的部分的第一官能团(X)和第二官能团(Y)，其中所述第一官能团(X)结合至所述半导体纳米晶体的表面，且所述第二官能团(Y)在相对于所述第一官能团(X)的邻位处存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783468A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910520226.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中，M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn1-xMxO。
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公开(公告)号：CN110277501A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910192538.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层；设置在第一电极和发射层之间的电子传输层；以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层，其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物，所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
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公开(公告)号：CN102983230B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN102983230A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN112750966B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202011201636.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/125 , H10K59/10 , B82Y30/00
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
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