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公开(公告)号:CN1704778A
公开(公告)日:2005-12-07
申请号:CN200410100306.0
申请日:2004-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C03C25/64 , C03C13/047 , C03C25/607
Abstract: 公开了一种减小光纤的氢敏感性的方法。所述方法包括:氘气处理步骤,将光纤暴露于包括氘气的气体混合物以使光纤与氘气接触;以及脱气步骤,在负压条件下对氘气处理过的光纤进行脱气。
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公开(公告)号:CN1213545C
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN01802991.4
申请日:2001-10-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/56
CPC classification number: H04W52/228 , H04B1/44 , H04B1/54 , H04B7/0604 , H04B7/061 , H04B7/0617 , H04B7/0619 , H04B7/0673 , H04J13/00 , H04W52/143 , H04W52/42
Abstract: 公开了一种在CDMA(码分多址)移动通信系统中的发射装置,每一个发射帧具有多个时隙,并且每一个时隙包括具有相同长度的两个数据部分、介于数据部分之间的中置码以及用于分开连续时隙的保护间隔,该发射装置使用调制信号将各帧调制成无线信号,并使用多个天线将该调制的无线信号发射。功率放大器放大该无线信号。控制器在与该功率放大器放大的无线信号相关的帧的时隙的保护间隔中生成切换控制信号。切换器响应切换控制信号在第一天线和第二天线之间切换来自该功率放大器的放大的无线信号。
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公开(公告)号:CN1543252A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200310120914.3
申请日:2003-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金成珍
CPC classification number: H04B7/0634 , H04B7/022
Abstract: 提供了一种用于控制高速物理下行共享信道(HS-PDSCH)的发送天线阵列的装置和方法,所述共享信道与自第一基站到移动站的专用物理信道共存,以便考虑在该移动站和第一到第K基站之间的软切换,所述方法包括步骤:通过均衡考虑第一到第K基站的信道特性,获得第一部分加权;通过增强第一基站的信道特性而不是第二到第K基站的信道特性,获得第二部分加权;根据高速分组数据是否被发送到移动站,将第一和第二部分加权其中之一作为反馈信息发送到所述第一到第K基站。
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公开(公告)号:CN1496143A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03147036.X
申请日:2003-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B7/0636 , H04B7/063 , H04B7/0634 , H04B7/0669 , H04B7/0673 , H04B7/0689
Abstract: 公开了一种装置和方法,用于根据移动通信系统中衰落信道的变化速度,选择发射天线分集方案。用户设备(UE)通过从结点B接收导频信号,估计导频信道的信道响应;通过使用估计的信道响应来估计衰落信道的变化速度,并确定适于衰落信道的变化速度的发射天线分集方案;以及向结点B发射包括确定的发射天线分集方案的反馈信息,于是结点B能够基于包含在反馈信息中的发射天线分集方案信息,确定用于将被发射到UE的信道信号的发射天线分集方案。这样,结点B根据信道状态自适应地应用发射天线分集。
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公开(公告)号:CN112151552B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202010545433.0
申请日:2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直半导体装置,可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部,该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。
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公开(公告)号:CN112670293B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202011024561.7
申请日:2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括:堆叠结构,其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层;竖直沟道结构,其穿透堆叠结构;以及导电焊盘,其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。
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公开(公告)号:CN118843418A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202380026381.8
申请日:2023-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A47L15/42
Abstract: 洗碗机可以包括:桶,作为在内部形成有洗涤室的桶,包括开放的底部和形成于所述开放的底部的开口凸缘;分配装置,分配喷射到洗涤室的洗涤水;集水槽壳体,作为配备为可结合于桶的开口凸缘的集水槽壳体,包括收容分配装置的至少一部分的分配腔室;支撑板,作为布置在桶的开口凸缘上的支撑板,包括与分配腔室对应的板开口;以及分配盖,能够插入于所述板开口,以覆盖所述分配腔室的上部,并且在对所述支撑板进行加压的同时旋转结合于所述支撑板。
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公开(公告)号:CN111050624B
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN201880056857.1
申请日:2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种具有使用便利性提高的结构的洗碗机。洗碗机包括:桶,具有前开口和顶部开口;前门,布置成打开和关闭前开口;盖框架,布置在顶部开口上并且具有在上下方向打开的开口;顶门,布置成打开和关闭盖框架的开口;以及框架喷射器,布置在盖框架上,使得洗涤水喷洒在盖框架的一侧上。
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