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公开(公告)号：CN102855933A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210096200.2
申请日：2012-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K19/17704 , H03K19/17728 , H03K19/17736 , H03K19/1776
Abstract: 本申请提供一种可以快速重新配置以执行期望的操作的逻辑器件。所述逻辑器件包括：第一功能块，用于根据第一操作信息执行第一操作以及根据第二操作信息执行第二操作；以及第二功能块，用于根据第一操作信息执行第三操作以及根据第二操作信息执行第四操作。第一功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第一操作或者第二操作。第二功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第三操作或者第四操作。
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公开(公告)号：CN102543153A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110277504.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/04 , G11C7/062 , G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0016 , G11C13/0021 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2207/002
Abstract: 一种半导体器件和读出半导体器件的数据的方法，该半导体器件包括：存储单元阵列，包括布置在至少一条位线和至少一条字线交叉之处的区域中的至少一个存储单元；和读出单元，读出存储在该至少一个存储单元中的数据，其中该读出单元包括：连接控制单元，根据具有可变电压电平的控制信号和该至少一条位线的电压电平控制该至少一条位线和读出线之间的连接；和读出放大单元，比较读出线的电压与参考电压并且读出存储在至少一个存储单元中的数据。
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公开(公告)号：CN102237401A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110113377.4
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28008 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷，多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层，也是用于提供沟道的层。
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公开(公告)号：CN101751988A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253967.X
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685077A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910174231.3
申请日：2009-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N29/036 , G01N2291/0257 , Y10S977/957
Abstract: 本发明提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。
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公开(公告)号：CN101290969A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710185796.2
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种存储节点，具有存储节点的相变存储器件，制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极，形成在底部电极上的相变层，形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN1268178C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310118192.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/46 , C23F4/04 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种等离子体发生系统。该等离子体发生系统包括：一个微波发生器，用于产生微波；一个折射器，它通过改变上述微波的传播方向以平面波的形式传送上述微波；一个电磁单元，用以对上述微波形成的等离子体施加磁场并使之产生电子回旋谐振。
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公开(公告)号：CN1248549C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310101227.7
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永东 , 尤里·N·托尔马切夫 , 金圣九 , 申在光
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。
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公开(公告)号：CN1638599A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410010475.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/46 , H01Q1/36 , H01L21/3065
Abstract: 一种天线，包括具有基本相同形状的分支。分支相对中心点对称地设置，并且沿着至少两个同心的图案延伸，该图案的几何中心和中心点重合。每个分支包括完全位于同心图案里的图案形成部分，和至少一个在图案形成部分之间延伸和连接的连接部分。在每个分支的末端提供给分支两端施加电压的输入/输出端子。
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