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公开(公告)号：CN103871466B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310675018.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C7/00 , G11C7/1096 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN105684317A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480059019.1
申请日：2014-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/04
CPC classification number: H04B1/0483 , H04B2001/0416
Abstract: 为了在无线发送器中控制发送信号的增益，提供一种无线发送器。该无线发送器包括：基带处理器，用于处理模拟基带发送信号；以及射频(RF)信号处理器，包括多个混频器。该多个混频器被配置为共享该基带处理器的输出信号作为输入。
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公开(公告)号：CN105244055A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510394397.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
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公开(公告)号：CN103794247A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310484627.4
申请日：2013-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了使用可变电阻材料的非易失性存储装置。第一箝位单元连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间，向电阻存储器单元提供第一箝位偏压。第一箝位偏压随时间而变化。第一补偿单元向第一感测节点提供补偿电流。第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化。响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。
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公开(公告)号：CN101154445B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200710100908.X
申请日：2007-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3427 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101022033B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710006303.4
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永宅
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/4091 , G11C11/4093
CPC classification number: G11C11/404 , G11C11/4091 , G11C2211/4016
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，具有：第一存储单元阵列块，所述第一存储单元阵列块包括具有浮置体的存储单元，所述存储单元与字线、第一位线和第一源极线相连；第二存储单元阵列块，包括具有浮置体的基准存储单元，所述基准存储单元与基准字线、第二位线和第二源极线相连；第一隔离门部分，被配置成在第一位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；第二隔离门部分，被配置成在第二位线与读出位线和反转读出位线的至少一个之间选择性地传输信号；以及读出放大器，被配置成将读出位线和反转读出位线的电压放大到第一和第二读出放大电压电平。
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公开(公告)号：CN1324480C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03105448.X
申请日：2003-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/109 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C16/0483 , G11C16/32 , G11C2216/14
Abstract: 提供一NAND闪存装置。该存储装置包括：用于输入和输出M-bit数据(M是任意自然数)的M个输入/输出引脚、第一和第二输入缓冲器电路、一地址寄存器、一指令寄存器和一数据输入寄存器。第一和第二输入缓冲器电路分别接收经由输入/输出引脚输入的M-bit数据的N个最低有效位(N是任意自然数)和N个最高有效位。地址寄存器响应于地址加载信号，接收第一输入缓冲器电路的一输出作为一地址。指令寄存器响应于指令加载信号，接收第一地址缓冲器电路的一输出作为一指令。数据输入寄存器响应于数据加载信号，同时接收第一和第二输入缓冲器电路的输出，作为将被编程的数据。锁存在数据输入寄存器中的M-bit数据经由一数据总线被加载到检测和锁存单元上。
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公开(公告)号：CN1983445A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164262.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永宅
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , G11C11/408
CPC classification number: G11C11/404 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C11/4091 , G11C2211/4016
Abstract: 一种包括存储单元阵列的半导体存储器件，该存储单元阵列包括多个单位存储单元，其中每个单位存储单元包括互补第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元。由第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元的阈值电压状态的差来定义向每个单位存储单元写入和从每个单位存储单元读取的逻辑值。
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公开(公告)号：CN1913276A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610108738.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 一种用于静电放电(ESD)保护的可控硅整流器(SCR)包括隔离设备。该隔离设备将连接到第一阴极的主地电压线与连接到第二阴极的外围地电压线相隔离。结果，即使当在集成电路的操作期间在外围地电压线中发生噪声时，主地电压线也维持稳定的电压电平。
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