电弧离子镀设备
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1952205A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200610131894.3

    申请日:2006-10-17

    Abstract: 一种电弧离子镀设备包括:真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源,且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置,并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构,在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电,由此导致工艺可控性得到改进。

    无源双极电弧控制系统和方法

    公开(公告)号:CN1230802C

    公开(公告)日:2005-12-07

    申请号:CN01142786.8

    申请日:2001-10-04

    CPC classification number: H01J37/3444 C23C14/54 H01J37/34 H01J2237/0206

    Abstract: 一种用无源电路控制直流溅射系统中的电弧形成的方法和系统,该电弧控制系统包括:溅射腔;此溅射腔包括阳极和由靶材料形成作为阴极的溅射靶。直流电源,用来提供直流阴极电压使阴极电流由阳极流向阴极;谐振网络,连接在直流电源和腔之间,此谐振网络具有与电弧产生对应地,使阴极电流谐振通过0,在阴极和阳极之间形成正电压的Q;以及反向电压钳位电路,与谐振网络连接,用来将阴极电压钳制到预先设定的反向电压。反向阴极电压通过在溅射靶沉积带正电的电介质来抑制随后的电弧。电弧控制系统限制了由电弧消耗的能量。

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