公开(公告)号：CN100592842C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710188130.2

申请日：2007-11-09

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 徐健明 ,  吴仕先 ,  赖信助 ,  李明林

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。

公开(公告)号：CN101431859A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200710188130.2

申请日：2007-11-09

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 徐健明 ,  吴仕先 ,  赖信助 ,  李明林

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。

公开(公告)号：CN100431394C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200510117656.2

申请日：2005-11-08

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张致豪 ,  吴仕先 ,  李明林 ,  赖信助

IPC: H05K1/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46 ,  H01L23/66 ,  H01P3/08

CPC classification number: H05K1/024 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01P3/081 ,  H01P3/085 ,  H05K1/0298 ,  H05K3/386 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09881 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有复合介质的基板及其所组成的多层基板，所述基板包括：一第一介电层、一第一讯号信号传输线路以及一第一导体层。此第一介电层具有第一介质区和第二介质区，其中第二介质区系位于第一介电层的表面，并且与第一介质区系是不同介电材料，以及第一讯号信号传输线路系位于第二介电层中，而第一导体层则系位于第一介电层下。于在此，第二介质区的介电常数可高于或低于第一介质区的介电常数，或者系是其介电损耗可低于第一介质区的介电损耗。本发明主要是在介电层中局部分布一种以上的介电材料，也就是说，在信号传输线路周边/上方/下方的介电材料不同于邻近的介电材料，借此以符合于高频电路中的特定需求。

公开(公告)号：CN101295580A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810003421.4

申请日：2008-01-11

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 吴仕先 ,  赖信助 ,  李明林 ,  刘淑芬

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/018 ,  H01G4/008 ,  H01G13/00 ,  H05K1/16 ,  H05K3/30

CPC classification number: H01G4/06 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/14 ,  H01G4/20 ,  H01G4/206 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4611 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09672 ,  H05K2201/2036 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。

公开(公告)号：CN1604720A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN03134767.3

申请日：2003-09-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 钟佩翰 ,  李明林 ,  赖信助 ,  吴仕先

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/00 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明公开了一种具内藏电容的基板结构，该基板结构是由单层或是数层内藏电容基板所组成，而每一层内藏电容基板包含有多个电容单元，可借助该基板结构上下方的线路连接层任意将连接至各个电容单元的导线进行并联或是串联，组合成各种具有不同电容值与不同频宽之电容，以适用于不同电路的需求；且每个电容单元亦可依不同的电路设计而具有用以进行该基板结构上方与下方之电子组件的电气讯号传递的信号传输线，因此，可利用简单的电路设置来实现电气讯号连接的目的。