一种永磁同步电机的控制方法
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115833680A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211567469.4

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机的控制方法,包括如下步骤:获取逆变器输出的三相交流电数据和电机位置检测数据,并将二者依次输入第一硬件转换单元和第二硬件转换单元,变换得到电流d轴分量和q轴分量;获取预设电机位置数据,并将预设电机位置数据、电机位置检测数据以及电流的d轴分量和q轴分量输入第三硬件转换单元,变换得到电压α轴分量和β轴分量;将电压α轴分量和β轴分量输入硬件脉冲宽度调制单元;第一硬件转换单元、第二硬件转换单元和第三硬件转换单元均与一硬件计算单元相连接,硬件计算单元用以采用改进Cordic算法完成第一硬件转换单元、第二硬件转换单元和第三硬件转换单元内的三角函数运算。本发明中的电路,控制效率较高。

    一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN115148810A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210784215.1

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID‑GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化层、设置于顶部UID‑GaN缓冲层两端的源极和漏极以及设置于AlGaN势垒层上的栅极,所述源极还与设置于顶部UID‑GaN缓冲层内的三层P型埋层相连,本发明在AlGaN/GaN异质结外延过程中采用碳掺杂的周期性GaN缓冲层作为底层GaN缓冲层,可有效抑制垂直方向上经由源极或漏极流向衬底的泄漏电流,减小底层GaN缓冲层位错密度,提高结晶质量,同样能减小流向底层GaN缓冲层的泄漏电流,具有与源极相连的三层P型埋层的HEMT器件结构,实现了击穿电压和导通电阻的折衷。

    一种跨阻放大器
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114513174A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111671538.1

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种跨阻放大器,包括:放大器以及与放大器相连接的压控电阻;增益控制电路,与压控电阻相连接,用于控制压控电阻两端的电压随着时间延长逐渐减小,放大器的放大增益随着时间延长逐渐增加。本发明中的装置,能够产生对近距离目标(回波时间短)的强回波光电流信号探测中具有低增益、大量程特性,而对远距离目标(回波时间长)的弱回波光电流信号探测中具有高增益、小量程特性,能够解决现有的对数放大器存在微弱信号回波下噪声较大而导致系统信噪比不足的问题,满足激光雷达接收机中大动态范围低噪声的指标要求。

    一种电动公交车无人自动充电平台

    公开(公告)号:CN109532529B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201811397932.9

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种电动公交车无人自动充电平台,涉及新能源汽车技术领域,包括防雨棚、充电桩、充电组件以及停车平台,所述充电桩安装于防雨棚的一侧,所述充电组件安装于防雨棚的底面,所述充电组件包括充电电极、充电座、横向电机、丝杠、丝杠螺母、定位板以及收纳腔,本发明结构简单,可操作性强,充电稳定性好,采用可移动式的充电组件,可以根据不同工况的需要及时调整充电电极所处的位置,同时,在不使用时,也能收至收纳腔内,减少外界环境对其造成的影响,同时也能减少触电危险,整个充电过程无需人工手动操作,且停车方便,误差小。

    一种锂电池包混合散热装置

    公开(公告)号:CN110911779A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911221691.7

    申请日:2019-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种锂电池包混合散热装置,涉及电池热管理技术领域,包括箱体、风冷组件、相变储能导热板、液冷组件、塑料箱盖以及塑料底板,所述塑料底板上设有若干组用于放置电芯的放置孔,每组放置孔由若干个并列且倾斜设置的放置孔组成,且相邻两组放置孔对称设置以形成一供气流通过的风道,放置孔与箱体的正面的夹角为10±5°,所述电芯的底部位于放置孔的上部,相变储能导热板安装于放置孔的下部且其上下两端分别与电芯、液冷组件相接触,本发明采用风冷、相变复合板和液冷相结合的模式,可以实现锂电池的快速散热,提高了锂电池的散热效率,解决了单纯液冷或单纯风冷模式散热效率低的缺点,使电池包散热更均匀,更高效。

    一种氮化镓功率器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110854193A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911187138.6

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 一种氮化镓功率器件结构及其制备方法,属于微电子技术领域,包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层,介质层的材质为高介电常数Ta2O5,在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道,采用本方法形成的MIS栅极结构,其栅极漏电流更小,抗击穿电压更高。器件的栅极漏电流相比常规SiO2栅介质结构会下降20%-30%,抗击穿电压增加20%-100%,而且制造工艺简单,重复性好的特点。同时结合器件HEMT原有的高阈值电压、高击穿电压、高电流密度、以及优良的夹断特性,适用于高压大功率电子器件应用。

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