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公开(公告)号：CN103475357A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310392076.9
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/094 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开一种可应用于射频集成电路的基于有源电感实现的片上半有源电感，包括一个片上无源电感、一个负阻结构单元和一个有源电感单元三个部分。其中，片上无源电感的一端为输入端，另一端接地；负阻结构单元是一个二端口电路，其中端口1接输入端，端口2接有源电感单元的输入端；有源电感单元是一个单端输入有源电感，其输入端与负阻结构单元的端口2相连接。本发明采用负阻结构单元补偿了无源片上电感的损耗，将有源电感连接负阻结构单元的负载，占用芯片面积小，提高了片上无源电感在高频下的Q值。
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公开(公告)号：CN103297049A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310192069.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种数模转换器动态校正装置，附加于电流舵数模转换器的输入、输出之间，包括延迟电路、校正电流产生器、电流开关和逻辑控制电路。由延迟电路、校正电流产生器和电流开关形成的校正通道，其层数可根据校正精度灵活设定。本发明中的数模转换器动态校正方法：校正准备阶段，对毛刺采样、转换成校正信息并存储；正常工作阶段读取校正信息，输出电流脉冲对毛刺信号补偿。本发明利用多路校正电流脉冲叠加，逐次分时段对数模转换器输出电流进行校正，补偿、抵消输出电流毛刺，解决了毛刺导致动态性能过低的技术问题，本发明不改变数模转换器内部结构；在提高电路动态性能同时，对电路速度、精度影响小，使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN1779988A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510096163.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环12s和P+接触区13，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN113489491B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110785744.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于动态比较器的自适应校准电路，自适应校准电路包括速度自适应电路和失调校准电路，速度自适应电路用于对比较器因温度T和工艺P引起的转化速度变化的校准，而失调校准电路用于比较器因晶体管失配产生的失调电压的校准。本发明在比较器上挂载两个额外的电路后，能够有效降低失调电压，并增大比较速度的PT容忍度。
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公开(公告)号：CN115348129B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210862115.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种CAN收发器接收电路，分为三级结构，为第一级保护电路、第二级主体结构为运算放大器、第三级为迟滞比较器；所述保护电路可以将总线异常电压衰减到可被后级电路接收的范围内；所述运算放大器中预处理保护电路的输出差分信号，将其变为更易被检测的单端信号，且该单端信号可以有效区分总线信号的显性与隐性状态；所述迟滞比较器检测运放输出的单端信号并转化成数字信号输出，迟滞量可以防止比较器因输入波动而导致的输出翻转。本发明使差分信号可以正常输入到转换电路，并在该结构的基础上调整收发器结构，将差分信号转化成单端信号，单端信号经过迟滞比较器，输出一个抗干扰能力强的数字信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112689105B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011506974.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高动态范围图像传感器像素结构及操作方法，其包括光电二极管(1)、电荷传输晶体管(2)、复位晶体管(3)、源跟随晶体管(4)、选择晶体管(5)、采样电容复位晶体管(6)、模式控制晶体管(7)、扩展电容C1和漂浮有源区FD。光电二极管通过电荷传输晶体管与FD相连；复位晶体管的漏极接电源线，源极接FD；源跟随晶体管的栅极接FD，漏极接电源线，源极接选择晶体管的漏极；扩展电容C1通过模式控制晶体管与FD相连；采样电容复位晶体管的漏极与选择晶体管的源极及后级电路的采样电容C2相连。本发明降低了图像传感器的功耗，扩展了动态范围，可用于在复杂环境下长时间工作的监控设备。
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公开(公告)号：CN113422605A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110763310.9
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种溢出校准电路、模数转换器及模数转换方法，基于流水线型ADC第一子级和第二子级输出的数字码同时进行溢出判断，并将判断的结果传输到校准输出电路进行校准，在发生下溢出的时候将校准输出电路的输出全部置0，在发生上溢出的时候将校准输出电路的输出全部置1，完成溢出判断，并校准输出。如果存在因误差导致的溢出判断比较器判断结果出错，可以在溢出判断电路和校准输出电路校准判断失误的溢出位，保证电路的正常输出。
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公开(公告)号：CN113097671A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110425681.6
申请日：2021-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种小型化宽带五频带的带通滤波器，包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板，所述上层微带结构附着在中间层介质基板的上表面，所述下层接地金属板附着在中间层介质基板的下表面，所述上层微带结构为五频带的带通滤波器，所述五频带的带通滤波器包括两端的输入馈线与输出馈线，所述输入馈线与输出馈线之间设置有正方形结构，所述正方形结构内部设置有正八边形结构，所述正八边形结构内部沿着正方形结构的对角线为中心线对称设置有两组渐变的阶跃阻抗谐振器。该发明为了提高宽带，在正八边形结构的八个顶点分别加载一对开路枝节，在正方形结构各边中点加载一个开路枝节,分别与两端输入馈线和输出馈线相连，实现宽带五频带。
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公开(公告)号：CN103297049B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310192069.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种数模转换器动态校正装置，附加于电流舵数模转换器的输入、输出之间，包括延迟电路、校正电流产生器、电流开关和逻辑控制电路。由延迟电路、校正电流产生器和电流开关形成的校正通道，其层数可根据校正精度灵活设定。本发明中的数模转换器动态校正方法：校正准备阶段，对毛刺采样、转换成校正信息并存储；正常工作阶段读取校正信息，输出电流脉冲对毛刺信号补偿。本发明利用多路校正电流脉冲叠加，逐次分时段对数模转换器输出电流进行校正，补偿、抵消输出电流毛刺，解决了毛刺导致动态性能过低的技术问题，本发明不改变数模转换器内部结构；在提高电路动态性能同时，对电路速度、精度影响小，使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN100394616C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510096163.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2)，在N型外延层上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6)，该P型体沟道区的四周设有P型场限环(7)，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环(12s)和P+接触区(13)，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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