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公开(公告)号：CN108538911B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810398738.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。
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公开(公告)号：CN107171452B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710267102.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种射频能量采集电路中的π型阻抗自动匹配系统及方法，其系统包括采样比较模块、逻辑算法控制模块和可调阻抗匹配网络，采样比较模块用于在所述逻辑控制模块的微分算子法控制下对倍压整流电路输出的电压进行连续两次采样并对连续两次采样的电压进行比较；逻辑算法控制模块用于根据连续两次采样的电压的比较结果判断出π型可调电容阵列的电容调整方向并根据电容调整方向利用电容值二分法按照电容权重逐次调整并入所述可调阻抗匹配网络中可调电容的数量；可调阻抗匹配网络用于根据并入π型可调电容阵列的电容数量来匹配所述天线与倍压整流电路之间的阻抗。本发明电路简单，功耗极低，仅在开关过程消耗能量，适用于微弱能量采集环境。
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公开(公告)号：CN110690897A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910942103.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽频率锁定范围的低功耗注入锁定分频器电路，主要解决现有技术结构复杂、锁定范围小的问题。其包括：注入分频电路、多相滤波器、射频开关以及移相注入电路。该注入分频电路对注入信号进行二分频，经多相滤波器后产生多个不同相位的同频率信号，移相后的信号通过射频开关选择由移相注入电路注入到分频器输出端，移相注入电路的电流与注入分频电路的电流矢量合成，使流入谐振腔的总电流产生相移，控制频率向高频带或低频带移动，展宽了锁定范围，且该电路采用体偏置，可使分频器满足低压低功耗要求。本发明在减小面积和功耗的前提下，提高了分频器的锁定范围，可用于通信、车载雷达和高速率数据传输技术标准的射频信号接收机芯片。
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公开(公告)号：CN110246837A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910500481.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种双二极管ESD保护电路，包括高端二极管、低端二极管、ESD主通路和寄生PNP三极管。所述高端二极管阳极、低端二极管阴极和寄生PNP三极管发射极与待保护电路IO相连，所述高端二极管阴极、ESD主通路正极和寄生PNP三极管基极与待保护电路VDD相连，所述低端二极管阳极、ESD主通路负极和寄生PNP三极管集电极与待保护电路GND相连。本发明通过寄生PNP三极管释放IO对GND的ESD电流，即增加了一条IO对GND的ESD电流释放路径，相比相同面积的双二极管ESD保护电路，有效地提高了电路的失效电流。
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公开(公告)号：CN109546987A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811365860.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种宽带有源移相器，主要解决现有有源移相器中插入损耗较大的问题。其包括巴伦、正交信号发生器、模拟加法器、插入损耗补偿电路和带隙基准电路。其中，前四个电路依次连接，带隙基准电路连接在巴伦与插入损耗补偿电路之间。单端射频信号经过巴伦转换为幅度相同且相位相反的差分信号。差分信号通过正交信号发生器后，生成四个幅度相同且相位间距90度的正交信号并作为模拟加法器的输入，通过正交矢量合成的方式合成一簇等相移的信号，输入给插入损耗补偿电路来减小增益误差，得到移相器的输出信号。本发明不仅减小了移相器插入补偿，而且通过正交信号发生器和模拟加法器的使用，大大减小了移相器的面积，可用于射频集成电路设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538911A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810398738.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。
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公开(公告)号：CN107171452A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710267102.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种射频能量采集电路中的π型阻抗自动匹配系统及方法，其系统包括采样比较模块、逻辑算法控制模块和可调阻抗匹配网络，采样比较模块用于在所述逻辑控制模块的微分算子法控制下对倍压整流电路输出的电压进行连续两次采样并对连续两次采样的电压进行比较；逻辑算法控制模块用于根据连续两次采样的电压的比较结果判断出π型可调电容阵列的电容调整方向并根据电容调整方向利用电容值二分法按照电容权重逐次调整并入所述可调阻抗匹配网络中可调电容的数量；可调阻抗匹配网络用于根据并入π型可调电容阵列的电容数量来匹配所述天线与倍压整流电路之间的阻抗。本发明电路简单，功耗极低，仅在开关过程消耗能量，适用于微弱能量采集环境。
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公开(公告)号：CN105720942A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610044327.8
申请日：2016-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/32
CPC classification number: H03H11/32
Abstract: 本发明提出了一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦，在整体电路的输入端采用宽带匹配网络实现超宽频带内的匹配特性；第一级放大器采用共射共基极低噪声放大器来减小整体有源巴伦的噪声系数，并在第一级放大器的输出采用片上电感来补偿高频增益；第二级放大器采用达林顿单元的差分放大器，在每个达林顿管的集电极和基极之间采用电阻反馈技术保证达林顿管工作的稳定性，在达林顿单元差分对的尾电流引入串联电感来补偿尾电流的寄生电容来提升输出差分信号的平衡性；第一级放大器和第二级放大器之间采用射随器来实现两级之间的隔离和直流电位的移位。本发明具有噪声系数小、带宽宽、高平衡性的特点。
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公开(公告)号：CN103630254B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310586376.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。采用将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。本发明的石墨烯温度传感器相较于现有的传感器，该温度传感器有很高的敏感度，较低的本征噪声以及很高的探测速度。这在航天领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104038158A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410247003.5
申请日：2014-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器结构，包括带隙基准电路(Bandgap)、数控增益电路(DCG)、信号放大电路(Amplifier)和镜像抑制频率可调的陷波滤波电路(IRnotchfilter)。通过天线接收，将工作频率信号Vop加以放大，并遏制位于镜像频率下的镜像信号Vim，并通过电容电感谐振回路(LCtank)对有效信号进行进一步放大，得到一个从接收到输出的镜像抑制(IR)增益响应；采用数控部分对输入静态工作点加以控制，使得工作频点的增益最大化。镜像信号得以抑制，即通过陷波滤波网络降低镜像频率im的增益，负载谐振频率远于镜像频点来增强对镜像频率输出信号的抑制性能，提高低噪声放大器的性能，进而提高未来设计的超外差射频接收机的整体性能。
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