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公开(公告)号：CN109164867B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811366488.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I1，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I2，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I1和第二电流I2，其中输出为一近似零温度系数的基准电流Iref＝αI1+βI2。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。
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公开(公告)号：CN109546987B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811365860.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种宽带有源移相器，主要解决现有有源移相器中插入损耗较大的问题。其包括巴伦、正交信号发生器、模拟加法器、插入损耗补偿电路和带隙基准电路。其中，前四个电路依次连接，带隙基准电路连接在巴伦与插入损耗补偿电路之间。单端射频信号经过巴伦转换为幅度相同且相位相反的差分信号。差分信号通过正交信号发生器后，生成四个幅度相同且相位间距90度的正交信号并作为模拟加法器的输入，通过正交矢量合成的方式合成一簇等相移的信号，输入给插入损耗补偿电路来减小增益误差，得到移相器的输出信号。本发明不仅减小了移相器插入补偿，而且通过正交信号发生器和模拟加法器的使用，大大减小了移相器的面积，可用于射频集成电路设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690897A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910942103.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽频率锁定范围的低功耗注入锁定分频器电路，主要解决现有技术结构复杂、锁定范围小的问题。其包括：注入分频电路、多相滤波器、射频开关以及移相注入电路。该注入分频电路对注入信号进行二分频，经多相滤波器后产生多个不同相位的同频率信号，移相后的信号通过射频开关选择由移相注入电路注入到分频器输出端，移相注入电路的电流与注入分频电路的电流矢量合成，使流入谐振腔的总电流产生相移，控制频率向高频带或低频带移动，展宽了锁定范围，且该电路采用体偏置，可使分频器满足低压低功耗要求。本发明在减小面积和功耗的前提下，提高了分频器的锁定范围，可用于通信、车载雷达和高速率数据传输技术标准的射频信号接收机芯片。
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公开(公告)号：CN109546987A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811365860.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种宽带有源移相器，主要解决现有有源移相器中插入损耗较大的问题。其包括巴伦、正交信号发生器、模拟加法器、插入损耗补偿电路和带隙基准电路。其中，前四个电路依次连接，带隙基准电路连接在巴伦与插入损耗补偿电路之间。单端射频信号经过巴伦转换为幅度相同且相位相反的差分信号。差分信号通过正交信号发生器后，生成四个幅度相同且相位间距90度的正交信号并作为模拟加法器的输入，通过正交矢量合成的方式合成一簇等相移的信号，输入给插入损耗补偿电路来减小增益误差，得到移相器的输出信号。本发明不仅减小了移相器插入补偿，而且通过正交信号发生器和模拟加法器的使用，大大减小了移相器的面积，可用于射频集成电路设计。
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公开(公告)号：CN111740705A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010662844.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种消除非线性的低噪声放大器，包括输入匹配电路、放大电路、非线性消除电路、噪声消除电路和输出匹配电路，非线性消除电路通过流复用电感Lc、第一耦合电容C2连接放大电路，实现了三阶非线性项的抵消；噪声消除电路的第二耦合电容C3连接到放大电路的一端，消除第一NMOS管M1的噪声，并增强了电路的跨导；输入匹配电路采用LC谐振结构调谐工作频率，提高射频信号输入匹配度。本发明在获得较好的增益和输入匹配度的同时，有效地改善了低噪声放大器的线性度和噪声系数，可用于射频收发芯片中。
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公开(公告)号：CN109164867A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811366488.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I1，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I2，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I1和第二电流I2，其中 输出为一近似零温度系数的基准电流Iref＝αI1+βI2。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。
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公开(公告)号：CN109743027A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910013093.4
申请日：2019-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度低噪声放大器电路，主要解决现有技术线性度较差的问题。其包括：第一级放大电路A1、第二级放大电路A2，两级电路之间采用电容C1耦合。第一级放大电路A1主要由两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成的共射共基结构以及第一负载阻抗网络Z1和第一偏置电阻R1组成，第二级放大电路A2主要由两个NMOS管M1、M2构成的共源共栅结构以及第二负载阻抗网络Z2和第二偏置电阻R2组成。本发明与传统的双极型晶体管级联结构低噪声放大器相比，由于级联电路结构不同所产生的三阶非线性项大小不同，可获得更高的输入三阶截取点，有效改善了低噪声放大器的线性度，可用于无线通信接收机前端芯片中。
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