-
公开(公告)号：CN110708021A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910943796.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度差分双反馈低噪声放大器，主要解决现有技术在线性度差的不足。其包括：包括两个源简并电感L1、L2，两个负载电感L5、L6、两个输出串联峰值电感L3、L4、两个偏置电压V1、V2和两类反馈环路S1、S2，第一类反馈环路S1与第二类反馈环路S2彼此交叠，相互作用；通过第一类反馈环路可使环路内的NMOS晶体管的跨导增加近一倍，也可抵消二次谐波分量在线性度上带来的恶化，通过第二类反馈环路的增益与第一类反馈环路增益的叠加，进一步提高了电路整体线性度。本发明结构简单，由于双反馈环路提供了较高的三阶互调失真截止点，无需使用双极型晶体管，改善了电路整体的线性度，可用于射频前端芯片。
-
公开(公告)号：CN109164867B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811366488.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I1，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I2，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I1和第二电流I2，其中输出为一近似零温度系数的基准电流Iref＝αI1+βI2。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729974A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910942106.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带高增益低噪声放大器，包括输入匹配级、增益放大级和输出匹配级三级级联结构。输入匹配级电路，包括第一晶体管M1、第一电容C1、第一负载电阻RL1、第一补偿电感L1、第二补偿电感L2以及源极负反馈电感LS，构成共栅极结构；增益放大级电路，包括第二晶体管M2、第三晶体管M3、第二负载电阻RL2、第三补偿电感L3以及第四补偿电感L4，构成共源共栅结构；输出匹配级电路，由第四晶体管M4、第三负载电阻RL3、第五补偿电感L5以及第二隔直电容C2，构成共源极结构。本发明在3-11GHz频带范围输入输出匹配性能良好、有平坦且高的增益，可用于无线通信系统前端接收机芯片中。
-
公开(公告)号：CN109164867A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811366488.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I1，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I2，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I1和第二电流I2，其中 输出为一近似零温度系数的基准电流Iref＝αI1+βI2。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。
-
-
公开(公告)号：CN110708021B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910943796.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度差分双反馈低噪声放大器，主要解决现有技术在线性度差的不足。其包括：包括两个源简并电感L1、L2，两个负载电感L5、L6、两个输出串联峰值电感L3、L4、两个偏置电压V1、V2和两类反馈环路S1、S2，第一类反馈环路S1与第二类反馈环路S2彼此交叠，相互作用；通过第一类反馈环路可使环路内的NMOS晶体管的跨导增加近一倍，也可抵消二次谐波分量在线性度上带来的恶化，通过第二类反馈环路的增益与第一类反馈环路增益的叠加，进一步提高了电路整体线性度。本发明结构简单，由于双反馈环路提供了较高的三阶互调失真截止点，无需使用双极型晶体管，改善了电路整体的线性度，可用于射频前端芯片。
-
公开(公告)号：CN110690897A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910942103.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽频率锁定范围的低功耗注入锁定分频器电路，主要解决现有技术结构复杂、锁定范围小的问题。其包括：注入分频电路、多相滤波器、射频开关以及移相注入电路。该注入分频电路对注入信号进行二分频，经多相滤波器后产生多个不同相位的同频率信号，移相后的信号通过射频开关选择由移相注入电路注入到分频器输出端，移相注入电路的电流与注入分频电路的电流矢量合成，使流入谐振腔的总电流产生相移，控制频率向高频带或低频带移动，展宽了锁定范围，且该电路采用体偏置，可使分频器满足低压低功耗要求。本发明在减小面积和功耗的前提下，提高了分频器的锁定范围，可用于通信、车载雷达和高速率数据传输技术标准的射频信号接收机芯片。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.02 seconds)
