公开(公告)号：CN108538911B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201810398738.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  闫志蕊 ,  庄奕琪 ,  赵小龙 ,  郭嘉敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。

公开(公告)号：CN108538911A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810398738.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  闫志蕊 ,  庄奕琪 ,  赵小龙 ,  郭嘉敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。

公开(公告)号：CN108447902A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810051354.7

申请日：2018-01-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  赵小龙 ,  庄奕琪 ,  闫志蕊 ,  郭嘉敏 ,  王萍 ,  蒋智

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种能够抑制双极效应的隧穿场效应晶体管，主要解决普通L型TFET器件双极效应严重的问题。其包括，衬底(1)和位于衬底顶层的导电层(2)，衬底上设有源区(3)、栅区(4)、漏区(5)，该漏区(5)的左侧设有轻掺杂漏区(6)，形成反向隧穿发生的缓冲区，该轻掺杂漏区(6)与栅区(4)的横向之间设有间距s。本发明通过在普通L型TFET器件的漏区添加轻掺杂漏和加入的栅漏间距s，减小了漏端载流子的反向隧穿几率，抑制了隧穿场效应晶体管的双极效应，提高了器件的应用价值，可用于制作超大规模半导体集成电路。

公开(公告)号：CN108493240B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201810398867.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  闫志蕊 ,  庄奕琪 ,  赵小龙 ,  郭嘉敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)，采用锗半导体材料；栅区(5)，采用Z型结构，且采用长度为3nm～9nm的栅覆盖在源区上；漏区(6)在靠近栅区(5)的一侧设有轻掺杂漏区。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。

公开(公告)号：CN108493240A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810398867.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李聪 ,  闫志蕊 ,  庄奕琪 ,  赵小龙 ,  郭嘉敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)，采用锗半导体材料；栅区(5)，采用Z型结构，且采用长度为3nm～9nm的栅覆盖在源区上；漏区(6)在靠近栅区(5)的一侧设有轻掺杂漏区。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。