公开(公告)号：CN102191502B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110034760.0

申请日：2011-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅 ,  村上幸一

IPC: C23F4/00 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00

CPC classification number: B05B1/18 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23F1/08

Abstract: 本发明提供气体簇射用构造体和基板处理装置。该构造体将基座板层叠在顶板上而形成，用于呈簇射状向处理气氛供给气体，能不受组装误差的影响而将两板的压接力设定为适当的大小，且能防止固定两者的固定构件与顶板之间的摩擦。从顶板的下表面侧插入螺纹构件而将螺纹构件与基座板螺纹连接，在螺纹构件的头部与顶板之间夹装环状的弹性体，利用弹性体的复原力使顶板与基座板压接。此时，在上述头部和顶板之间形成有间隙。并且在上述头部的外缘侧夹装环状的弹性体的状态下，在该头部覆盖罩。作为另一例，使基座板比顶板的外缘突出，用螺纹构件固定位于顶板外缘部的外侧的环状的夹持构件和基座板的突出部分，且使弹性体介于夹持构件与顶板之间。

公开(公告)号：CN101901781B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010182892.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  久保田和宏 ,  林大辅

IPC: H01L21/768 ,  G05B19/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低介电常数膜，以此对低介电常数膜上所形成的损伤层实施恢复处理，对设为减压状态的处理容器内导入稀释气体，使处理容器内的压力上升到低于恢复处理时的处理压力的第一压力，之后，停止导入稀释气体，将处理气体导入到处理容器内的被处理基板的存在区域，使处理容器内的压力上升到作为恢复处理时的处理压力的第二压力，保持该处理压力，对被处理基板进行恢复处理。

公开(公告)号：CN102110573A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010623407.1

申请日：2010-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/04 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体稳定且对高频电场强度进行控制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置，在能减压的处理容器内设置第一电极，将处理气体导入上述处理容器内，由高频电力的能量生成等离子体，通过上述等离子体对被处理体施行期望的等离子体处理。等离子体处理装置的第一电极，在由期望的电介质形成的上部基材(105a)中嵌入与该基材相同材质的电介质(205)，将上部基材(105a)和电介质(205)之间通过导电性粘着层(210a)粘着固定。

公开(公告)号：CN101901781A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010182892.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  久保田和宏 ,  林大辅

IPC: H01L21/768 ,  G05B19/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低介电常数膜，以此对低介电常数膜上所形成的损伤层实施恢复处理，对设为减压状态的处理容器内导入稀释气体，使处理容器内的压力上升到低于恢复处理时的处理压力的第一压力，之后，停止导入稀释气体，将处理气体导入到处理容器内的被处理基板的存在区域，使处理容器内的压力上升到作为恢复处理时的处理压力的第二压力，保持该处理压力，对被处理基板进行恢复处理。

公开(公告)号：CN101896033A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010129374.5

申请日：2010-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  林大辅

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/04 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32577

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，对生成等离子体所消耗的高频的电场强度分布进行控制。等离子体蚀刻装置(10)具有：在内部对晶片(W)进行等离子体处理的处理容器(100)；上部电极(105)和下部电极(110)，在处理容器(100)的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；以及高频电源(150)，其与上部电极(105)和下部电极(110)中的至少一个连接，向处理容器(100)的内部输出高频电力。上部电极(105)和下部电极(110)的至少一个包括：由板状的电介质形成基材(105a)；具有开口部、且覆盖基材(105a)的导电性盖(105b)；和设置在基材(105a)与等离子体之间的金属的第一电阻体(105d)。

公开(公告)号：CN101373729A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810146840.3

申请日：2008-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅 ,  野中龙

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  F15B15/24

CPC classification number: F15B15/24 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种缸体停止位置可变机构和具有其的基板处理装置，能够在半导体基板的处理装置中几乎不产生振动地使基板或其载置台进行升降并能够自由变更升降的上下停止位置。相对于具有活塞和轴杆以流体压力进行驱动的缸体，包括贯通卡止在轴杆上的止动器、与止动器抵接从而使活塞的进退停止的一对限制器、和使限制器位置改变的限制器移动机构的缸体停止位置可变机构。此外，以马达控制该限制器移动机构，在上述一对限制器的各个上设置移动机构，能够分别独立进行位置控制。

公开(公告)号：CN101252079A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810003563.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411

Abstract: 本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统(10)，具有对晶片(W)实施化学反应处理的第二处理模块(28)，第二处理模块(28)具有收容晶片(W)的处理容器(33)，和通过与处理容器(33)的上部接合而构成晶片(W)的处理室(腔室)的上盖(35)，在上盖(35)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(40)，该气体导入孔(40)，一端(40a)以与GDP36连接的方式形成，另一端(40b)以与气体导入孔(42)的另一端(42b)连接的方式形成，在处理容器(33)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(42)，该气体导入孔(42)，一端(42a)以与从氟化氢气体的供给源导入氟化氢气体的气体导入管(43)连接的方式形成，另一端(42b)以与气体导入孔(40)的另一端(40b)连接的方式形成。

公开(公告)号：CN100378923C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN03814542.1

申请日：2003-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐东英范 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/3266

Abstract: 磁控等离子体处理装置具有介入处理空间(S)和排气口(11)之间的挡板(10)，以便在处理室(1)内把等离子体封闭在处理空间(S)内，挡板(10)具有连通处理空间(S)和排气口(11)的多个贯通孔(10b)。挡板(10)沿着挡板(10)存在位置的磁场的磁力线配置。

公开(公告)号：CN100345257C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。

公开(公告)号：CN101005727A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610147090.2

申请日：2006-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23C4/02 ,  C23C4/10

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生用电极。在与基板相对设置的、由金属基底和导体板构成的等离子体生成用电极中，没有导体板损坏的危险，确保金属基底和导体板的电导通和热传导在面内均匀性好的接合状态。该电极由如下材料构成：使金属例如硅含浸在由多孔陶瓷形成的母材例如碳化硅中，具备至少与基板的被处理面的整个面相对的接合面的金属基复合材料；和通过金属而熔融接合在该金属基复合材料的接合面上的由耐等离子体性的材料形成的导体板例如CVD－碳化硅。在这种情况下，使金属含浸在所述母材中时，通过该金属将导体板熔融接合在金属基复合材料上。