公开(公告)号：CN119275214A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411808777.0

申请日：2024-12-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李燕妃 ,  谢儒彬 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提出一种用于腐蚀工艺监控的表征器件，属于半导体技术领域。表征器件包括衬底、场氧介质层、栅氧介质层、金属前介质层、阳极多晶硅、阴极多晶硅、阳极接触孔、阴极接触孔、阳极金属、阴极金属、阳极、阴极，还包括划分的第一有源区、第二有源区、第三有源区、场区，有源区上设置的阳极多晶硅和阴极多晶硅互不相连，且分别由阳极金属和阴极金属引出，通过对阳极和阴极进行电压扫描测试，可表征集成电路工艺制造过程中多晶硅残余和场区腐蚀问题，从而指导工艺技术优化开发。提升集成电路的可靠性。同时，在引出端口采用多晶硅连接，增加了腐蚀工艺的复杂度，从另一个维度上进一步表征工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN102945839B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210519390.4

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张昕 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/552

Abstract: 一种部分场板屏蔽的高压互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中，包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线；所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中，无高压互连线跨越的器件表面没有多晶屏蔽场板；所述双层部分多晶屏蔽场板由第一层场板和第二层场板构成，其中第二层场板位于第一层场板与高压互连线之间；两层场板在器件表面层中呈非连续分布状，且两层场板之间交错分布并相距适当的距离。本发明与具有高压互连的传统浮空场板结构相比，在不影响浮空场板对高压互连线效应的屏蔽作用，保证器件耐压的基础上，减小了器件尺寸，增加了器件的开态电流能力。

公开(公告)号：CN103022004B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210432010.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张昕 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种高压集成电路的互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中，采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极（或阳极）和高压电路，多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所承载的电流大小，各条窄线宽的金属连线之间具有相应的间距。本发明可以大大减小高压互连线场致电荷的产生，有效屏蔽互连线电位对器件表面电场的影响，增强了器件在具有高压互连线时的耐压，提高了器件的性能。本发明可用于具有单RESURF、双RESURF结构的LDMOS、LIGBT或3D RESURF LDMOS等功率器件的高压集成电路中。

公开(公告)号：CN103904121A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410126949.6

申请日：2014-03-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  王裕如 ,  叶珂 ,  周锌 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底上端面的第二导电类型半导体漂移区和分别设置在第二导电类型半导体漂移区上端面两端的源区和漏区，其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区由自下而上依次层叠设置的多个第二导电类型半导体子漂移区构成，每个第二导电类型半导体子漂移区中均设置有2个降场层。本发明的有益效果为，极大地降低了器件的导通电阻，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。本发明尤其适用于横向高压器件。

公开(公告)号：CN103474466A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310418088.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  蔡林希 ,  吴文杰 ,  许琬 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。

公开(公告)号：CN103280457A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310177386.9

申请日：2013-05-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  蔡林希 ,  许琬 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。

公开(公告)号：CN102945839A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210519390.4

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张昕 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/552

Abstract: 一种部分场板屏蔽的高压互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中，包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线；所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中，无高压互连线跨越的器件表面没有多晶屏蔽场板；所述双层部分多晶屏蔽场板由第一层场板和第二层场板构成，其中第二层场板位于第一层场板与高压互连线之间；两层场板在器件表面层中呈非连续分布状，且两层场板之间交错分布并相距适当的距离。本发明与具有高压互连的传统浮空场板结构相比，在不影响浮空场板对高压互连线效应的屏蔽作用，保证器件耐压的基础上，减小了器件尺寸，增加了器件的开态电流能力。