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公开(公告)号：CN106596713A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611033498.7
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/90
CPC classification number: G01N27/90 , G01N27/9006 , G01N27/9046
Abstract: 一种高信噪比的无损检测探头系统，包括正弦波发生模块、功率放大模块、无损检测电涡流探头、信号调理模块和数据采集处理模块，所述无损检测电涡流探头包括线圈和位于线圈底部的巨磁电阻传感芯片，所述线圈包括激励线圈和位于激励线圈内部的消除线圈，消除线圈与激励线圈为同轴线圈且串联；所述激励线圈的一端连接功率放大模块的输出端，另一端与消除线圈的一端相连，消除线圈的另一端接地，巨磁电阻传感芯片的输出端连接信号调理模块的输入端。本发明通过对探头结构及相应外围电路的改进，大大提高了信噪比，提高了探头探测的灵敏度，使其可用于航空航天等重要领域的多层导电结构里层和深层缺陷的无损检测与评估。
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公开(公告)号：CN106252813A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610770300.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/12
Abstract: 一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换-弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN103320856B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310244408.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于氟化铵水溶液中浸泡处理以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将前驱物置于封闭容器中煅烧处理，使得前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒；最后经高温脱氟处理，得到无氟单晶TiO2纳米薄膜。本发明所制备的TiO2纳米薄膜具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。
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公开(公告)号：CN104402427A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410705259.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料由主料、玻璃相助烧剂和助熔剂构成，其中主料的重量百分比为99.5％～99.8％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0.1％～0.4％，助熔剂重量百分比为0.1％，所述主料为Li0.42Zn0.28Ti0.13Fe2.17O4，所述玻璃相助烧剂由原料按照质量比ZnO：Bi2O3：SiO2,：Li2CO3＝5:3:1:1配制，所述助熔剂为粒径小于100nm的Al2O3纳米粉。本发明实现了LiZnTi铁氧体在低温(900～940℃)下的烧结和制备，并得到矫顽力低的铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN104030671A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410252398.8
申请日：2014-06-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是，在满足950℃以下低温烧结的情况下，提供一种具有低矫顽力、低铁磁共振线宽和高饱和磁化强度特性的LiZnTi铁氧体材料，用于LTCC移相器。该铁氧体材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料重量百分比为99.3～99.85％、玻璃相助烧剂重量百分比为0.15～0.7％；所述主料以Li2CO3、ZnO、TiO2和Fe2O3为原料，按照分子式Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4配制；所述玻璃相助烧剂按比例52.45mol％Li2O，31.06mol％B2O3，11.99mol％SiO2，2mol％CaO和2.5mol％Al2O3配料后经12h球磨，加热至1150℃保温1h，降温至1000℃快速淬火制成。该铁氧体材料制备方法成功地将LiZnTi铁氧体的烧结温度降至900℃左右，并保持LiZnTi铁氧体材料优异的旋磁性能，从而使得该材料能与银电极共烧可广泛用于LTCC移相器的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320856A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310244408.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于氟化铵水溶液中浸泡处理以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将前驱物置于封闭容器中煅烧处理，使得前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒；最后经高温脱氟处理，得到无氟单晶TiO2纳米薄膜。本发明所制备的TiO2纳米薄膜具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。
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公开(公告)号：CN117080754B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311131863.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的二维频率选择表面(FSS)两部分构成，在三维吸收结构中采用导电油墨阻抗薄膜代替集总电阻对入射电磁波进行吸收；同时，底部通过二维频率选择表面结构以在工作频带实现低插入损耗的透波带；本发明提供的频率选择吸波体的吸波带在X波段和Ku波段，兼具较宽的吸波带宽和较小的插入损耗，并且具有尺寸小、易于灵活装配等优点，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN117894499A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410074941.3
申请日：2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种可低温共烧的非钌系内埋置电阻浆料及其制备方法。本发明以非钌系的La0.5Sr0.5Co0.96Ni0.04O3或La0.5Sr0.5Co0.94Nb0.06O3陶瓷作为导电相，既降低了材料成本，还避免了传统金属材料高温易氧化的缺点；结合与导电相化学兼容适配的Bi2O3‑B2O3‑SiO2‑ZnO和Li2O‑Bi2O3‑B2O3‑SiO2+TiO2作为无机黏结相，再辅以有机载体构成非钌系电阻浆料。采用该电阻浆料制备的内埋置电阻，与多层介电陶瓷生瓷带(介电常数≤8)能在925℃下的匹配共烧，烧结后匹配性较好，无明显的翘曲和分层发生具有良好的工艺适应性，可通过LTCC技术实现电阻在多层陶瓷电路基板的内埋置集成。本发明具有低成本和高性能的特点，为实现电阻元件在多层陶瓷基板的内埋置集成提供了基础。
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公开(公告)号：CN115007186B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210685286.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化碳基位点特异的双单原子催化剂，及其制备方法以及其在光催化二氧化碳还原领域的应用。其中，氮化碳为纳米片组成的管状类体相结构，长度从几微米到几十微米不等，直径主要坐落于0.5～3μm。金属单原子一种为具有氨基或羧基络合能力的金属，另一种为具有共轭体系的分子层状结构。单原子种类以钯和铜为例，位点特异的钯铜双单原子在氮化碳材料上被成功锚定，即钯位点坐落于氮化碳面内而铜位点坐落于氮化碳层间。合成方法简单易操作，为未来的商业化应用提供可能。在光催化二氧化碳还原中，位点特异的双单原子结构实现了两者特定性功能的级联，即钯位点主要负责吸附活化和转化，而铜位点则主要负责光生电子的传输。
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公开(公告)号：CN115947600B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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