公开(公告)号：CN111952282A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910405081.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  陈兆同 ,  刘勇强

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；形成于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层、第一漏极电极、第一栅极电极、第一源极电极、第一漏极金属引线区、第一栅极金属引线区和第一源极金属引线区；形成于衬底另一侧的第一介质层和位于第一介质层内的第二漏极电极、第二栅极电极、第二源极电极、第二漏极金属引线区、第二栅极金属引线区和第二源极金属引线区；第一源极金属引线区与第二漏极金属引线区通过贯穿于衬底的第一过孔电连接；第一栅极金属引线区与第二源极金属引线区通过贯穿于衬底的第二过孔电连接。本申请公开的晶体管缩短了互联线的长度，降低了寄生效应，也减小了芯片面积，降低了成本。

公开(公告)号：CN210429778U

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201921347424.X

申请日：2019-08-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  曾丹 ,  史波 ,  刘勇强

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块组件，涉及电子设备领域。包括：散热器和功率电子器件，所述散热器设有安装槽，所述功率电子器件设置于所述安装槽内，所述安装槽的开口处设有盖板，所述盖板上设有多个通孔，所述功率电子器件包括多个电极引脚，所述电极引脚从所述通孔伸出至所述安装槽外部。本实用新型提供的功率模块组件，通过在散热器上设置安装槽，将功率电子器件设置于安装槽内，实现了功率电子器件与散热器的一体化集成。从而使功率电子器件不用再进行单独的封装，摆脱了封装外壳的限制，降低了整体重量，也避免了封装外壳的材料成本。同时，由于功率电子器件集成在了散热器内部，减小了整体的体积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211182210U

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201921897573.3

申请日：2019-11-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN211088282U

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201922050171.6

申请日：2019-11-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208507649U

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201821102241.7

申请日：2018-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  敖利波

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供了一种电子元件封装结构及电器设备，涉及电子元件技术领域，解决了现有技术中存在的封装结构吸湿率大导致的电子元件可靠性降低的技术问题。电子元件封装结构包括电子元件、载体和水汽隔离层，所述电子元件安装在所述载体上，所述水汽隔离层覆盖于所述电子元件的外侧以及所述电子元件的周围载体上；所述水汽隔离层至少能够防止水汽沿所述电子元件的上方和周围入侵所述电子元件。通过在电子元件之外以及电子元件周围的载体上设置水汽隔离层来防止水汽入侵电子元件，还能缓冲电子元件的内部应力，提高电子元件的可靠性，延长电子元件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210200738U

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201921418921.4

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209658160U

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201920647522.9

申请日：2019-05-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同 ,  史波

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209526080U

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201920641003.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利