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公开(公告)号：CN108507685B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810204953.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。
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公开(公告)号：CN108917942B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811124163.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN107741278B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710918927.7
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；还涉及上述传感器的制备方法，提供一未进行牺牲层释放的双层非制冷红外探测器，在其上制备超材料结构后，进行牺牲层释放，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN107150995B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710328762.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种偏振敏感型非制冷红外探测器，包括第一层悬空结构，所述第一层悬空结构为现有非制冷红外探测器，所述第一层悬空结构上设有第二层悬空结构，所述第二层悬空结构包括光栅支撑层和设置在支所述光栅撑层上的金属光栅结构，能够简化光学系统，提升图像的真实性与有效性；还涉及上述偏振敏感型非制冷红外探测器的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在未进行结构释放的现有非制冷红外探测器上制备第二层牺牲层和光栅支撑层；步骤2.制备金属光栅结构；步骤3.结构释放，形成偏振敏感型非制冷红外探测器。
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公开(公告)号：CN107063474B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710253138.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种曲面焦平面探测器，所述探测器所述焦平面探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述曲面焦平面探测器的制备方法，先完成电极金属层的图形化处理，在电极金属层上制作与热敏薄膜的接触孔，可以向像元边缘拓展接触孔的尺寸，采用离子束反应溅射的方法制备热敏层薄膜，且对探测器进行减薄处理，减薄后弯曲定型，探测器的结构释放可以放在弯曲定型之前，也可以放在弯曲定型之后，形成的曲面焦平面探测器更适用于大视场或超大视场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107063472B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710252827.5
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及氧化方法制备热敏层的曲面焦平面探测器，所述探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，且其电极层和热敏层处于同一层上，半导体氧化钛薄膜为热敏层，钛薄膜为电极层，平坦度较高，且能够适用大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述探测器的制备方法，在支撑层上制备钛薄膜，并对桥腿处的钛薄膜进行氧化，桥面区域的形成半导体氧化钛薄膜，相当于热敏层；桥腿区域的钛薄膜相当于电极层；还包括对探测器减薄至50μm以内，并对其进行弯曲定型的步骤；可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像。
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公开(公告)号：CN107117578B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710328749.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔，且其上溅射方阻值不同的热敏层薄膜，能够更好地吸收不同波段的红外能量，然后转换成电学信号进行处理进行图像输出。本发明还涉及一种制备上述芯片的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及封装测试的步骤，所述芯片能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作。
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公开(公告)号：CN106800271B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710053126.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106276781B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201610803895.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构，该方法包括：制备金属反射层；在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；在金属反射层上制备通孔；在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层，或，在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层；在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
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公开(公告)号：CN106082106B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610422054.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法，包含读出电路的半导体衬底和一具有第一微桥结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，所述第一微桥结构上设有第二微桥结构，所述第二微桥结构上设有第三微桥结构；使用该方法，可以拓宽红外探测器的检测波段，从而扩展红外探测器的应用领域。不仅工艺简单，成本低，而且不会增加读出电路的设计难度。
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