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公开(公告)号：CN104766888A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510134837.X
申请日：2015-03-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/20 , H01L29/1033 , H01L29/66477
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管器件，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件包括依次层叠的衬底、高介电常数栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、图形化的硫化钼(MoS2)导电沟道，及在复合导电沟道上的金属源电极和金属漏电极。该制备方法中直接利用原子层沉积技术(ALD)的方式，在Si衬底上生长高介电常数(high-k)材料。本发明采用石墨烯/硫化钼(MoS2)的复合沟道，可以获得更大的迁移率和开关比，提高了器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN104617099A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510033719.X
申请日：2015-01-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。
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公开(公告)号：CN104597082A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510036987.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法，该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，叉指电极层，第一PDDA薄膜层，还原氧化石墨烯薄膜层，第二PDDA薄膜层，分级结构ZnO-PSS薄膜；制备方法主要包括叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用层层自组装方法制备杂化分级结构传感器件。本发明的优点在于充分利用还原氧化石墨烯的大比表面积、低电子噪声、良好半导体性质和带负电的特点，结合分级结构氧化锌的结构特点，制备杂化分级结构敏感薄膜，工艺简单，重复性好，所制备的敏感器件可用于气体检测领域。
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公开(公告)号：CN102263144B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110217023.4
申请日：2011-07-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254963A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110217022.X
申请日：2011-07-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L29/47
Abstract: 基于石墨烯/硅柱阵列肖特基光伏电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上热氧化生成氧化硅(SiO2)作为隔离层，腐蚀SiO2隔离层形成窗口并在窗口内采用光刻和干法刻蚀的方法制备出硅柱阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层上制备金属前电极，最后将石墨烯转移或旋涂到硅柱阵列上并与前电极相连；该太阳能电池结构简单，易于制备，不仅可以有效减少入射光的反射，而且增大了肖特基结接触面积，从而达到提高太阳能电池的转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN101257016B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810103810.4
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/00 , H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8247 , H01G4/33 , H01G4/08
Abstract: 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于PZT薄膜Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3，制备PZT先驱体溶液中各元素的摩尔百分比Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI-MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。
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公开(公告)号：CN100466320C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710063820.5
申请日：2007-02-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/24 , C04B35/46
Abstract: 本发明涉及用于铁电存储器的掺钕钛酸铋铁电薄膜及其低温制备方法，属于微电子新材料与器件范围，该薄膜的组成及组分为：Bi4-xNdxTi3O12，其中，Nd中的x为掺钕钛酸铋中Nd占Nd和Bi元素总量的摩尔百分数；该Bi元素的过剩含量占Bi、Nd和Ti元素总量的摩尔百分数的范围为5%＜Bi＜20%；薄膜厚度为20nm～500nm。该制备方法由制备掺钕钛酸铋前驱体溶胶和低温制备掺钕钛酸铋铁电薄膜两部分组成；本发明制备出来的铁电薄膜具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)以及能与CMOS工艺技术兼容等特点。特别适用于铁电存储器应用。
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公开(公告)号：CN101136404A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710175793.0
申请日：2007-10-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/822 , H01L21/8247
Abstract: 本发明涉及铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该电容包括：以硅为衬底，在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜，以及上电极金属层；在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。该方法由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备，以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成。本发明利用该方法制备出来的铁电电容具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)，较好的介电特性，并能与CMOS工艺技术相兼容的特点，且在室温下能够正常工作，适用于新型高密度存储器以及集成铁电器件。
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公开(公告)号：CN201344973Y
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200920105220.5
申请日：2009-01-16
Applicant: 清华大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本实用新型涉及基于磁电复合材料的磁场传感器，属于磁场传感器制造领域，该传感器主要包括磁电复合材料块，前端放大器，低通滤波器和后端数字显示电路；该磁电复合材料块与前端放大器的输入正负极相连接，该放大器的输出端与低通滤波器的输入端相连接；该低通滤波器的输出端与后端数字显示电路的输入端相连。本实用新型具有成本低、灵敏度高、频率和温度范围广、可分别用于交流和直流磁场探测的优点。
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