公开(公告)号：CN102263144B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110217023.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  冯婷婷 ,  任天令 ,  宋睿 ,  田禾 ,  李虓 ,  吴德海 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。

公开(公告)号：CN102254963A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110217022.X

申请日：2011-07-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  冯婷婷 ,  任天令 ,  宋睿 ,  田禾 ,  李虓 ,  吴德海 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L29/47

Abstract: 基于石墨烯/硅柱阵列肖特基光伏电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上热氧化生成氧化硅(SiO2)作为隔离层，腐蚀SiO2隔离层形成窗口并在窗口内采用光刻和干法刻蚀的方法制备出硅柱阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层上制备金属前电极，最后将石墨烯转移或旋涂到硅柱阵列上并与前电极相连；该太阳能电池结构简单，易于制备，不仅可以有效减少入射光的反射，而且增大了肖特基结接触面积，从而达到提高太阳能电池的转换效率的目的。

公开(公告)号：CN102263144A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110217023.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  冯婷婷 ,  任天令 ,  宋睿 ,  田禾 ,  李虓 ,  吴德海 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。