公开(公告)号：CN101215692A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810055628.6

申请日：2008-01-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  刘朋 ,  窦维治 ,  韩冰

IPC: C23C16/44

Abstract: 本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为A、B两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上，A、B两反应室各自通过通道阀门将反应腔和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和贮存室相通，在贮存室上部设置进气阀构成。所述沉积方法是在该装置内，集成电路的圆片在A、B反应腔之间经过通道阀门来回传送，传送至A反应腔时将发生A相反应，传送至B反应腔时将发生B相反应，A、B两相反应交替进行，将在圆片表面逐原子层地生长出集成电路所要求厚度的纳米薄层或复合结构材料。对反应腔室的沾污小，提高淀积质量；节约反应源用量，降低工艺成本，使环境危害程度最低。

公开(公告)号：CN1546743A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310117188.X

申请日：2003-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  白玉琦 ,  陈必贤 ,  黄文韬 ,  陈长春

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/00

Abstract: 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。

公开(公告)号：CN112350605A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011310673.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种采用多管并联式桥臂的功率器件全桥,包括多个桥臂，所述每个桥臂包括并联的小功率器件，所述小功率器件均为独立驱动控制，其中，在要求输出较大电力的阶段，小功率器件同时导通或者关断，其效果等效于一个大功率的单个器件进行工作；在要求输出中、小电力的阶段，小功率器件，仅其中的一个或者数个进行工作。本发明可以有效解决不同阶段对器件功能需求差异化的问题，增强在开关速度和开关消耗功率等关键电特性上的优势，并提高功率器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN105891628B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610193008.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  崔文普 ,  刘志弘

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。

公开(公告)号：CN105345830B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510933537.8

申请日：2015-12-15

Applicant: 清华大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 严利人 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  周伟 ,  王全

IPC: B25J15/06

Abstract: 本发明公开一种吸盘式机械手，主要针对现有技术下吸盘式机械手定位不精准，容易导致工件损坏的问题；提出了一种包括拾取装置和拾取臂；所述拾取装置包括真空吸盘、与所述真空吸盘连通的真空管和下端与所述真空吸盘上表面连接的滑动轴，其中，所述真空吸盘下表面设置有柔性衬垫，所述滑动轴的上端设置有上限位块，所述滑动轴的下端设置有下限位块；所述拾取臂一端设置有套筒，所述滑动轴设置在所述套筒内，所述上限位块与所述下限位块之间的距离大于所述套筒的长度，所述套筒设置在所述上限位块与所述下限位块之间；当所述滑动轴与所述套筒受力方向相反时，所述滑动轴在所述套筒内滑动的技术方案。本发明能够降低设备成本，避免工件的损坏。

公开(公告)号：CN103022111B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210560021.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极引出电极、以及基极引出电极。集电极引出电极嵌入衬底的背面且分别对应发射极引出电极和基极引出电极。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法可用于同质外延也可用于异质外延(SOS技术)的双极晶体管，且简化了晶体管的加工工艺。制备得到的产品保证较高的击穿电压，减小集电极串联电阻，保持较小的传输延迟时间，提高器件的工作频率，降低饱和压降，使得晶体管可以在大电流下应用。

公开(公告)号：CN102709318B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210153217.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103000678B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210536372.7

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN102790081B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210161187.4

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102790080B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210161096.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。