公开(公告)号：CN102651384A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210153410.0

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN101872784B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010191020.3

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  吴正立 ,  许平 ,  崔杰 ,  蒋志 ,  朱从益 ,  赵悦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。

公开(公告)号：CN101359682B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810222241.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  徐阳 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。

公开(公告)号：CN101552200A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810241108.4

申请日：2008-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  张伟 ,  严利人 ,  王玉东 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。

公开(公告)号：CN119290095A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411617175.7

申请日：2024-11-13

Applicant: 清华大学 ,  北京电子控股有限责任公司

Inventor： 李震 ,  崔文普 ,  崔杰 ,  喻国芳 ,  任天令 ,  付军 ,  杜井庆 ,  赵迪

IPC: G01F1/684 ,  G01F15/00

Abstract: 本申请提供一种热式气体流量传感器、流量测量方法及系统，涉及声表面波应用领域，包括：气体通路直管、加热元件、绝热元件及声表面波谐振器；其中，气体通路直管用于传输被测气体；气体通路直管直径的设置须满足气体流动状态为层流的约束条件；绝热元件敷贴于气体通路直管的外下壁，包括绝热外壳及两块绝热材料；绝热材料被绝热外壳包裹在内；加热元件敷贴于气体通路直管的外下壁，并被两块绝热材料夹持；声表面波谐振器敷贴于气体通路直管的外壁，用于感测被测气体在气体通路直管中传输时上下游的频率变化，以检测气体通路直管中气体流量的变化。本申请能够以高性能声表面波谐振器为测量元件，在低气体流量下对气体的流量进行快速、准确测量。

公开(公告)号：CN119008674A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411187905.4

申请日：2024-08-27

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  清华大学

Inventor： 付军 ,  赵悦 ,  郑凯 ,  周亦康

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够达到露出所述多晶硅外基区部分侧壁从而为后续与锗硅外延内基区同步生长的锗硅连接基区腾出必要空间的目的，并实现能够有效改善器件性能的凹陷锗硅连接基区结构，且本申请提供的锗硅异质结双极晶体管可以采用工艺难度和复杂度相对较低的工艺步骤制造，规避了背景技术中采用的很难控制的利用底部狭缝“掏底”各向同性腐蚀氮化硅侧墙的工艺步骤，从而可以有效改善相关集成电路工艺生产的重复性、均匀性、可控性和可生产性。

公开(公告)号：CN117761430A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311774823.5

申请日：2023-12-21

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  清华大学

Inventor： 付军

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提供一种非均匀传输线的二端口网络参数确定方法及装置，涉及参数计算技术领域。所述方法包括：确定从非均匀传输线的第一端口到第二端口之间的正向特征阻抗和正向复传播系数，以及从非均匀传输线的第二端口到第一端口之间的反向特征阻抗和反向复传播系数；根据第一端口参考阻抗、第二端口参考阻抗、所述正向特征阻抗、所述正向复传播系数、所述反向特征阻抗和所述反向复传播系数确定所述非均匀传输线的二端口网络散射S参数；根据所述二端口网络散射S参数确定除所述二端口网络散射S参数以外的其他二端口网络参数。所述装置执行上述方法。本发明实施例提供的方法及装置，能够准确确定非均匀传输线的二端口网络参数。

公开(公告)号：CN115983181A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211546225.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢双文 ,  付军

IPC: G06F30/39 ,  G06F17/10

Abstract: 本申请实施例提供一种非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈电感确定方法，方法包括：将等效确定的正多边形整圈闭合金属总自感值的一半确定为所述非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属的自感值；将等效确定的最外整圈闭合金属与内部其他整圈闭合金属之间总互感值的一半确定为所述非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属与内部螺旋金属的互感值；根据所述非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属的自感值和所述非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属与内部螺旋金属的互感值之和，确定所述非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属的电感值；本申请能够较为准确地确定非整数圈片上非等宽螺旋电感最外半圈金属的电感值。

公开(公告)号：CN105703713B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610023866.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭雅娣 ,  付军 ,  王玉东

IPC: H03D7/12

Abstract: 本发明公开一种低三阶交调失真的有源Gilbert混频器，本发明主要为了改善有源Gilbert混频器三阶交调失真而进行的设计。本发明低三阶交调失真的有源Gilbert混频器包括带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元，所述带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元连接有用于修正其产生的跨导的跨导修正差分对。本发明通过在带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元中引入跨导修正差分对，使得Multi‑tanh doublet跨导单元中输出给电流换向开关对的电流为含有较小的三阶交调失真的电流，从而使整个混频器的混频线性度提高。

公开(公告)号：CN105891628B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610193008.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  崔文普 ,  刘志弘

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。