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公开(公告)号：CN205017582U
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201520747972.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风芯片，由底部到顶部依次包括基底层、第一绝缘层、振膜层、第二绝缘层和背极层；振膜层的振膜有效振动区的周边连接有振膜固定部；背极层上设置有背极区，背极区通过第一切割线与背极层的其余部位相隔离，第一切割线在振膜层上的投影围绕在振膜有效振动区的周边，背极区通过其周边的背极固定部固定于第二绝缘层上方；振膜层上还设置有第二切割线，第二切割线围绕背极区在振膜层上的投影区域的外边缘以及振膜固定部的外边缘设置，使振膜层上位于第二切割线内的区域与位于第二切割线外的区域隔离，第二切割线外的振膜层不产生寄生电容，降低了寄生电容。本申请还公开了一种包括该MEMS麦克风芯片的传声器和音频设备。
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公开(公告)号：CN204014058U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420430883.5
申请日：2014-07-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：基底；贯穿所述基底的声腔；设置在所述基底正面，位于所述声腔四周的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域的设定形状的振膜；设置在所述正面表面与所述第一绝缘层相对区域的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对区域的背极，所述背极形状与所述振膜形状相匹配；其中，所述振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有纹膜。所述MEMS麦克风通过所述加强筋提高了振膜与背极之间声压的均匀性，保证了将声音信号转换为电信号的性能。
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公开(公告)号：CN204014057U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420430405.4
申请日：2014-07-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 蔡孟锦
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：硅基底；位于所述硅基底表面的绝缘层；位于所述绝缘层背离所述硅基底一侧的振膜；位于所述振膜背离所述绝缘层一侧的隔离层；位于所述隔离层背离所述振膜一侧的保护墙，所述保护墙完全覆盖所述隔离层的侧面；位于所述保护墙背离所述隔离层一侧的背极，从而在所述隔离层进行刻蚀，形成第二通孔的过程中，可以利用保护墙，对隔离层的侧壁进行保护，避免位于背极底部，第二通孔侧壁上的隔离层被掏空，进而解决了MEMS麦克风在后期信号拾取过程中，由于第二通孔侧壁上的隔离层被掏空而导致的压伤问题，改善了MEMS麦克风的性能，提高了MEMS麦克风的良率。
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公开(公告)号：CN204014056U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420430271.6
申请日：2014-07-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 蔡孟锦
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：基底，所述基底设置有贯穿所述基底的声腔；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底正面，且位于所述声腔四周；振膜，所述振膜设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述振膜与所述第一绝缘层相对区域的表面；背极，所述背极设置在所述第二绝缘层的表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对的区域，所述背极与所述振膜不接触；振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。所述MEMS麦克风的振膜与背极之间的声压均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203279172U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320236653.0
申请日：2013-05-03
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 蔡孟锦
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型提供一种MEMS麦克风，包括基底、背极板、振膜、绝缘层、支撑层和电极。背极板包括第一背极板和第二背极板；绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；支撑层包括第一支撑层和第二支撑层。第一绝缘层设置在基底和第一背极板之间，第二绝缘层设置在第一背极板的上方；第一支撑层设置在第二绝缘层和振膜之间，第二支撑层设置在振膜和第三绝缘层之间；第二背极板设置在第三绝缘层上方；用于MEMS麦克风内部电路与外部电路连通的电极分别在第一背极板和第二背极板上。本实用新型提供的MEMS麦克风，能够解决麦克风线性度低、谐波失真值低和短路的问题。
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公开(公告)号：CN202957978U
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201220605844.5
申请日：2012-11-15
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 蔡孟锦
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种微机电传声器芯片。该微机电传声器芯片包括基底、阻挡层、振膜、支撑层、背极板、第一金属电极和第二金属电极。该微机电传声器芯片中，具有背极在上，振膜在下的电容结构，并且背极板由导电层和绝缘层构成，其中导电层只设置在与振膜的振动区域对应的位置以及与第一金属电极对应的位置，而在振膜的非振动区域以及与第二金属电极对应的位置等其它位置，不设置导电层，此处背极板只有绝缘层。本实用新型的技术方案能够避免产生寄生电容，进而提高了微机电传声器芯片的灵敏度。
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公开(公告)号：CN202587373U
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201220239615.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS麦克风芯片，包括基底以及设置在基底上由膜片、隔离层和极板构成的平行板电容器，所述隔离层由多个隔离圈单元构成，各隔离圈单元将膜片和极板隔离设置成多个电容器单元，所述平行板电容器与各隔离圈单元相对的位置固定在基底上，在基底上设有分别与电容器单元对应设置的贯通孔，极板上与电容器单元对应的位置分别设有极板孔。此种设计可以制作较大面积的膜片和极板，从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比，并且将平行板电容器与各隔离圈单元相对的位置固定在基底上，这种结构大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性，避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷，有效提升了产品的成品率。
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公开(公告)号：CN205283815U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201520987396.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风芯片，包括基底层、背极层、振膜层和第一绝缘层，第一绝缘层固定于背极层的边缘和振膜层的边缘之间，背极层包括导体背极层和绝缘背极层，绝缘背极层位于振膜层和导体背极层之间，用于阻隔导体背极层和振膜层，背极层通过绝缘背极层与第一绝缘层固定。本MEMS麦克风芯片中，背极层的导体背极层通过绝缘背极层与振膜层阻隔，防止了振膜层和导体背极层的接触，避免了短路和放电现象的发生，提高了工作可靠性。本实用新型还公开了一种包含该MEMS麦克风芯片的MEMS麦克风。
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公开(公告)号：CN205283813U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201520978378.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风芯片，包括基底层、背极层和振膜层，背极层包括绝缘背极层和导体背极层，导体背极层位于绝缘背极层和振膜层之间，且绝缘背极层上设置有穿过导体背极层并伸出指向振膜层的若干绝缘凸起部，导体背极层位于背极层的背极区内。本MEMS麦克风芯片中，背极层的导体背极层位于绝缘背极层和振膜层之间，且位于背极区内，背极层能够与振膜层产生电容的部分仅为导体背极层，且产生的电容为有效电容，而绝缘背极层不与振膜层产生电容，从而降低了寄生电容，提高了MEMS麦克风芯片的灵敏度，同时绝缘凸起部阻隔了振膜层和导体背极层的接触，防止短路和吸膜。本申请还公开了一种包含该MEMS麦克风芯片的MEMS麦克风。
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