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公开(公告)号：CN104105040A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410374244.6
申请日：2014-07-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，包括：基底；贯穿所述基底的声腔；设置在所述基底正面，位于所述声腔四周的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域的设定形状的振膜；设置在所述正面表面与所述第一绝缘层相对区域的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对区域的背极，所述背极形状与所述振膜形状相匹配；其中，所述振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有纹膜。所述MEMS麦克风通过所述加强筋提高了振膜与背极之间声压的均匀性，保证了将声音信号转换为电信号的性能。
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公开(公告)号：CN102625224A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093789.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 潘昕
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明的实施例公开了一种电容式硅微麦克风与集成电路单片集成的方法及芯片，选择一SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面依次制作集成电路和电容式硅微麦克风，并且采用SOI晶圆的顶层硅制作电容式硅微麦克风的背极板。由于顶层硅的厚度可以根据设计的背极板的厚度事先选择确定，因此背极板厚度可控，即使受到低温淀积工艺局限也可制作出符合厚度要求的背极板，从而有效避免电容式硅微麦克风与集成电路单片集成制作时出现的软背极效应。
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公开(公告)号：CN102244832A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010256367.1
申请日：2010-08-18
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电容式传声器芯片，包括具有贯通孔的基底、设置在基底上方与基底对应的振膜支撑层、覆盖于振膜支撑层上方的振膜、设置在振膜上方的背极支撑层和设置在背极支撑层上方的背极，其中，在所述振膜的边缘地区设置有与所述振膜同心的环状的纹膜。利用本发明的纹膜和加强筋结构，不但能够有效增加振膜的振幅，从而在不改变芯片体积的前提下增加芯片中电容量的变化，进而增加电容式传声器的灵敏度，还能够使振膜上在纹膜内的有振膜加强筋的部分基本保持平动并增加传声器的电容变化率，避免振膜局部变形过大的问题，提高电容式传声器芯片的灵敏度并提高了电容式传声器芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN102595295B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210056876.9
申请日：2012-03-06
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，由外壳和线路板构成MEMS麦克风的外部封装结构，在所述封装结构上设置有拾音孔，在所述封装结构内部的所述线路板上设置有偶数个MEMS声学换能器和一个ASIC芯片，所述偶数个MEMS声学换能器对称分组后实现差分连接。本发明的MEMS麦克风，由于差分连接的偶数个MEMS声学换能器能够将同时感知的外界声压的变化转换为整体电容变化，由ASIC芯片检测该整体电容变化并将其转换为电信号输出，从而提高了器件整体的灵敏度和信噪比增益。
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公开(公告)号：CN102625224B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210093789.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 潘昕
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明的实施例公开了一种电容式硅微麦克风与集成电路单片集成的方法及芯片，选择一SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面依次制作集成电路和电容式硅微麦克风，并且采用SOI晶圆的顶层硅制作电容式硅微麦克风的背极板。由于顶层硅的厚度可以根据设计的背极板的厚度事先选择确定，因此背极板厚度可控，即使受到低温淀积工艺局限也可制作出符合厚度要求的背极板，从而有效避免电容式硅微麦克风与集成电路单片集成制作时出现的软背极效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102595295A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210056876.9
申请日：2012-03-06
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，由外壳和线路板构成MEMS麦克风的外部封装结构，在所述封装结构上设置有拾音孔，在所述封装结构内部的所述线路板上设置有偶数个MEMS声学换能器和一个ASIC芯片，所述偶数个MEMS声学换能器对称分组后实现差分连接。本发明的MEMS麦克风，由于差分连接的偶数个MEMS声学换能器能够将同时感知的外界声压的变化转换为整体电容变化，由ASIC芯片检测该整体电容变化并将其转换为电信号输出，从而提高了器件整体的灵敏度和信噪比增益。
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公开(公告)号：CN102595294A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210056862.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，由外壳和线路板构成MEMS麦克风的外部封装结构，在所述封装结构上设置有拾音孔，其中，在所述封装结构内部的所述线路板上设置有两个或更多个串联的MEMS声学换能器和一个ASIC芯片。本发明的MEMS麦克风，由于在线路板上串联连接的两个或更多个MEMS声学换能器能够将同时感知的外界声压的变化转换为整体电容变化，由ASIC芯片检测该整体电容变化并将其转换为电信号输出，从而提高了器件整体的灵敏度和信噪比增益。
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公开(公告)号：CN102595294B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210056862.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，由外壳和线路板构成MEMS麦克风的外部封装结构，在所述封装结构上设置有拾音孔，其中，在所述封装结构内部的所述线路板上设置有两个或更多个串联的MEMS声学换能器和一个ASIC芯片。本发明的MEMS麦克风，由于在线路板上串联连接的两个或更多个MEMS声学换能器能够将同时感知的外界声压的变化转换为整体电容变化，由ASIC芯片检测该整体电容变化并将其转换为电信号输出，从而提高了器件整体的灵敏度和信噪比增益。
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公开(公告)号：CN102740207A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210197289.1
申请日：2012-06-15
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种集成硅微麦克风与CMOS集成电路的芯片及其制作方法，所述芯片以硅晶圆为基片，硅晶圆一表面划分为两个区域：CMOS集成电路区域和硅微麦克风区域，其中，所述硅微麦克风区域包括两个或更多个MEMS声换能器，MEMS声换能器之间以并联、串联或者差分的方式彼此互联，并且MEMS声换能器之间以及MEMS声换能器与CMOS集成电路之间通过片内的电连接通路实现电气连接。本发明实施例一方面相对于多片集成方式可以显著提升MEMS麦克风整体性能、尺寸和功耗，另一方面相对于仅集成单个MEMS声换能器的芯片，能够提高MEMS麦克风的总信噪比增益。
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公开(公告)号：CN102740207B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210197289.1
申请日：2012-06-15
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种集成硅微麦克风与CMOS集成电路的芯片及其制作方法，所述芯片以硅晶圆为基片，硅晶圆一表面划分为两个区域：CMOS集成电路区域和硅微麦克风区域，其中，所述硅微麦克风区域包括两个或更多个MEMS声换能器，MEMS声换能器之间以并联、串联或者差分的方式彼此互联，并且MEMS声换能器之间以及MEMS声换能器与CMOS集成电路之间通过片内的电连接通路实现电气连接。本发明实施例一方面相对于多片集成方式可以显著提升MEMS麦克风整体性能、尺寸和功耗，另一方面相对于仅集成单个MEMS声换能器的芯片，能够提高MEMS麦克风的总信噪比增益。
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