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公开(公告)号：CN113001396B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110238691.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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公开(公告)号：CN106965075B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610899522.9
申请日：2016-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/30
Abstract: 在即使使用噪声滤波器也无法除去噪声的情况，也良好地检测转矩电流的变化，使研磨终点检测的精度提高。研磨装置(100)具有：第一电动机(14)，旋转驱动研磨台(12)；以及第二电动机(22)，旋转驱动保持半导体晶片(18)的顶环(20)。研磨装置(100)具有：电流检测部(24)；储存部(24)，在规定区间内持续储存被电流检测部(24)检测到的三相电流值；差分部(112)，求得在与规定区间不同的区间内检测到的电流值与所述储存的电流值的差分；以及终点检测部(29)，根据所述差分部(112)输出的差分的变化，检测表示半导体晶片(18)的表面研磨的结束的研磨终点。
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公开(公告)号：CN107710024B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201680038444.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01V3/10
Abstract: 本发明提供一种金属检测用传感器，该金属检测用传感器是能够通过电磁感应检测法检测出微小金属异物的小型化的金属检测用传感器。用于对在通路(18)中移动的检查对象物所包含的金属(14)进行检测的金属检测用传感器(20)具有：产生静磁场的磁铁(24、26)；及对金属(14)生成的磁场(28)进行检测的线圈(30)。磁铁(24、26)位于线圈(30)的轴向上的线圈(30)的外部，线圈(30)位于连结磁铁(24、26)的N极与S极的轴向上的磁铁(24、26)的外部，磁铁(24、26)与线圈(30)面对。
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公开(公告)号：CN106604802B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580047764.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , G01S13/50
Abstract: 本发明使研磨终点检测的精度提高。本发明的终点检测方法依据供给至驱动部(第一电动马达或第二电动马达)的驱动电流来检测终点，该驱动部用于旋转驱动用于保持研磨垫的研磨台、或用于保持研磨对象物并将保持研磨对象物向研磨垫按压的保持部(顶环)。该终点检测方法具备：判定所执行的研磨处理的研磨条件是否与预设的特定的研磨条件一致的步骤(S102)；判定为研磨条件与特定的研磨条件一致时，调整用于控制驱动电流的驱动控制部(马达驱动器)的电流控制参数的步骤(S103)，该电流控制参数与驱动电流的对应于驱动部的驱动负荷的变化而产生的变化相关；及对依据调整后的电流控制参数供给至驱动部的驱动电流进行检测，并依据检测出的驱动电流来检测研磨的终点的步骤(S105)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106604802A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580047764.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , G01S13/50
Abstract: 本发明使研磨终点检测的精度提高。本发明的终点检测方法依据供给至驱动部(第一电动马达或第二电动马达)的驱动电流来检测终点，该驱动部用于旋转驱动用于保持研磨垫的研磨台、或用于保持研磨对象物并将保持研磨对象物向研磨垫按压的保持部(顶环)。该终点检测方法具备：判定所执行的研磨处理的研磨条件是否与预设的特定的研磨条件一致的步骤(S102)；判定为研磨条件与特定的研磨条件一致时，调整用于控制驱动电流的驱动控制部(马达驱动器)的电流控制参数的步骤(S103)，该电流控制参数与驱动电流的对应于驱动部的驱动负荷的变化而产生的变化相关；及对依据调整后的电流控制参数供给至驱动部的驱动电流进行检测，并依据检测出的驱动电流来检测研磨的终点的步骤(S105)。
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公开(公告)号：CN104907920A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 一种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器，以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含：涡流传感器与研磨对象物不相对的第一状态；及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第一状态下从涡流传感器输出的第一测定信号(Xout，Yout)(步骤S108)，基于取得的第一测定信号与对第一测定信号预先设定的基准信号(Xsd，Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109)；取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104)，在进行研磨工序中，基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
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公开(公告)号：CN103358222A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310110317.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013
CPC classification number: G01N27/90 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01N27/82 , H01L22/14 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压，并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器，也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜（或导电性薄膜）的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器（50），其构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈（63A、63B）互相分离配置为外侧的线圈（63B）包围内侧的线圈（63A），多个线圈（63A、63B）各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。
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公开(公告)号：CN101413780B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
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公开(公告)号：CN101413780A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170337.1
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: G01B7/105 , B24B37/042 , B24B49/105
Abstract: 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
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