公开(公告)号：CN1343011A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN01135571.9

申请日：2001-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  山崎宽子

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了一种制造向上发射型发光器件的方法以及一种用于本方法的薄膜形成装置。多个薄膜形成室连接到第一转移室。多个薄膜形成室包括金属材料蒸发室、EL层形成室、溅射室、CVD室以及密封室。通过使用薄膜形成装置,向上发射型EL元件在不把该元件暴露到外界空气的情况下能够制造。结果获得了可靠度高的发光器件。

公开(公告)号：CN1058585C

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN94112813.X

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1223465A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98108911.9

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  张宏勇 ,  菅原彰 ,  铃木敦则 ,  上原由起子 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT,具有源、漏和沟道区,至少在沟道区上形成栅绝缘膜,并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区,以降低截止电流。形成这种结构的方法包括:阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜;用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜,使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后,进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1137170A

公开(公告)日：1996-12-04

申请号：CN96102945.5

申请日：1996-03-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 菅原彰 ,  小沼利光

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/124

Abstract: 在主要由铝制成的电极上形成抗蚀掩模。在电解液中通过进行阳极氧化在不包括被掩盖的区域外的电极上形成阳极氧化膜。由于阳极氧化膜不在被掩盖处形成，在被掩盖区域中很容易形成接触孔。除去一部分与形成接触电极中的窗口对应的栅电极，在形成接触电极时可将栅电极隔开。

公开(公告)号：CN1132384A

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95120573.0

申请日：1995-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  小沼利光 ,  仲泽美佐子 ,  西毅

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L27/10

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/103 ,  G09G2340/16

Abstract: 在有源矩阵型液晶显示器件中，信号线和扫描线在一个透明基片上按矩阵形式交叉。在每个交叉部分设置一个薄膜晶体管和一个透明象素电极。在该透明基片和另一个透明基片之间插入液晶材料，在每个象素区设置一个中央象素电极和包围该中央象素电极的一个外围象素电极。当象素区在动态图像显示中有移动时，先通过外围象素电极给液晶施加电场，而后经一个预定的延迟时间后通过中央象素电极给液晶施加电场。

公开(公告)号：CN1279515B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN00118478.4

申请日：2000-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  水上真由美 ,  小沼利光

IPC: H01L27/15 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30 ,  G09F13/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/5231 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明的目的是降低EL显示器件和包含EL显示器件的电子设备的制作成本。EL材料是通过在有源矩阵型EL显示器件中进行印刷而制作的。可用的印刷法包括凸版印刷或丝网印刷。因此，简化了EL层的制作步骤，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN100539239C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510009467.3

申请日：2000-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  水上真由美 ,  小沼利光

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/15 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  Y10S438/956

Abstract: 本发明的目的是减少EL显示器件及与之装配的电子装置的制造成本。在有源矩阵型EL显示器件中，通过使用分送装置的涂敷步骤形成用于像素部分的EL材料。由于分送器的排料口制成线形，因此增加了生产量。使用所述分送装置，可以简化EL层的形成步骤，从而降低了制造成本。

公开(公告)号：CN100479181C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610093450.5

申请日：2000-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。

公开(公告)号：CN1881609A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610093450.5

申请日：2000-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。

公开(公告)号：CN1874026A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610099717.1

申请日：2000-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。