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公开(公告)号:CN1893094A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610101627.1
申请日:2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76882 , H01L21/76898 , H01L23/16 , H01L23/3192 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/564 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件,其中提高了阻挡性,实现了小型化、薄型化、以及轻量化,具有柔性。本发明提供通过在一对衬底内侧的空间设置包括多个晶体管的叠层体来抑制有害物质的侵入,以提高了阻挡性的半导体器件。此外,本发明提供通过使用一对由磨削和抛光而实现了薄膜化的衬底,实现了小型化、薄型化、轻量化的半导体器件。此外,提供一种具有柔性以实现了高附加价值化的半导体器件。