公开(公告)号：CN100470664C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。

公开(公告)号：CN100419905C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410061664.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永濑俊彦 ,  与田博明 ,  吉川将寿 ,  甲婓正 ,  岸达也 ,  相川尚德 ,  上田知正

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。

公开(公告)号：CN100351945C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03108379.X

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸達也 ,  斉藤好昭 ,  天野実 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  上田知正

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/5607

Abstract: 提供了一种磁阻效应元件，其中：自由铁磁性层的形状包含具有平行四边形的轮廓的第一部分和从第一部分的一对对角部向与第一部分的一对对边平行的主方向分别伸出的一对第二部分；所述形状对于通过所述第一部分的中心且与主方向平行的直线是非对称的；自由铁磁性层的容易磁化轴在由第一方向对第二方向所成的锐角所规定的范围内；所述第一方向和所述主方向实质上是平行的；所述第二方向与连接所述第二部分的轮廓彼此间的最长的线段实质上是平行的。

公开(公告)号：CN1302548C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200410058626.4

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中岛健太郎 ,  天野实 ,  上田知正 ,  高桥茂树

IPC: H01L27/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: C23F4/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。

公开(公告)号：CN1448947A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108386.2

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸达也 ,  斉藤好昭 ,  上田知正 ,  與田博明

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  Y10T29/49021

Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。