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公开(公告)号:CN1780933A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200480011313.1
申请日:2004-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/22 , H01L35/34 , Y10S117/915
Abstract: 在热电转换元件等功能元件中,有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中,通过水蒸气的作用,使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含:在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长,使得所述层状结构与所述基体相接的工序;在腔室内,使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序;和通过分离所述层状结构和所述基体,得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
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公开(公告)号:CN1141700C
公开(公告)日:2004-03-10
申请号:CN98122500.4
申请日:1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。
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公开(公告)号:CN110400922B
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN201910665377.1
申请日:2015-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本公开涉及非水电解质二次电池用正极和非水电解质二次电池。该非水电解质二次电池具备正极、负极和非水电解液,作为一例实施方式的正极(11),具备:以铝(Al)为主成分而构成的正极集电体(30);形成于正极集电体(30)上的保护层(31);和包含含锂过渡金属氧化物、形成于保护层(31)上的正极合剂层(32)。保护层(31)的厚度为1μm~5μm,包含氧化能力比含锂过渡金属氧化物低的无机化合物、和导电材料。所述非水电解液包含非水溶剂和溶解在非水溶剂中的电解质盐,所述非水溶剂含有酯类、醚类、腈类、酰胺类中的至少1种。根据作为本公开的一方式的非水电解质二次电池用正极,能够维持良好的集电性,并且抑制由正极活性物质与铝集电体的氧化还原反应带来的发热。
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公开(公告)号:CN105932221A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201510815048.2
申请日:2015-11-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/42
CPC classification number: H01M4/62 , H01M4/13 , H01M4/667 , H01M10/052 , H01M10/4235 , H01M10/0525
Abstract: 在作为实施方式一例的非水电解质二次电池中,正极(11)具有正极集电体(30)、在该集电体上形成的正极合剂层(31)、和在正极集电体(30)与正极合剂层(31)之间形成的中间层(32)。中间层(32)包含热传导率为10W/m·K以上的高热传导材料、和阻燃剂。
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公开(公告)号:CN102356483B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201180001439.0
申请日:2011-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M2/10 , H01M10/6555 , H01M10/658
CPC classification number: H01M2/1022 , H01M10/6555
Abstract: 电池包具备多个电池、容纳多个电池的壳体、以及将多个电池相互隔离的至少1个隔板。至少1个隔板包含金属网眼体、以及配置在金属网眼体的两面的隔热层。隔热层包含在110℃以上且小于200℃的温度下能发泡的发泡材料,通过所述发泡材料的发泡,隔热层的厚度增大。由此,即使容纳在电池包内的电池的任一个异常发热,也能够有效地抑制向其他电池的热传导。
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公开(公告)号:CN103582972A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201280027670.1
申请日:2012-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/0587 , H01M2/34 , H01M4/66 , H01M10/052
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/26 , H01M10/0525 , H01M10/0587 , Y02E60/122 , Y02T10/7011 , H01M4/70
Abstract: 本发明的目的在于提供能够容易地提高针对由钉扎或压坏导致的内部短路的安全性的、高容量的锂离子二次电池。本发明的锂离子二次电池具备包含正极集电体和正极活性物质层的正极(1)和包含负极集电体和负极活性物质层的负极(6)夹着隔离体(11)卷绕而成的电极组。正极集电体露出部(4)与负极集电体露出部(9)夹着隔离体(11)相对地卷绕而成的部分即异极集电体相对部(23)在电极组中设置1周以上,正极集电体露出部(4)之间或负极集电体露出部(9)之间直接或者夹着隔离体(11)地相互相对地卷绕而成的部分即同极集电体相对部(22)在电极组中设置1周以上。
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公开(公告)号:CN1914733A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200580003381.8
申请日:2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理时,电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非易失性存储器。具体地说,本发明提供的非易失性存储器(1)由具有以化学式RMCoO3(其中:R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层,和与所述材料层电连接的作为两个电极的第一电极和第二电极构成,同时,(2)具有变电阻元件晶体管,所述变电阻元件与晶体管电连接。
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公开(公告)号:CN1898798A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580001365.5
申请日:2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构,电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态,通过施加规定电压或者电流,可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件,其中,包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上,电阻变化层具有尖晶石结构,上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号:CN1820380A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200580000645.4
申请日:2005-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种即使薄型化也能实现高效率的热电转换元件。在该热电转换元件中,在绝缘层的一面上配置有条纹状的p型热电转换部,在另一面上配置有条纹状的n型热电转换部。两种条纹形成重叠部,在该重叠部中,第一p型热电转换部和第一n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第一导通部电连接,并且第二p型热电转换部和第二n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第二导通部电连接,第一导通部与第二导通部电分离。在现有的元件中配置有一个接合的区域,本发明的元件配置有两个接合。
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公开(公告)号:CN1223998C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN01137453.5
申请日:2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
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