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公开(公告)号：CN1585129A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410064104.5
申请日：2004-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/42316 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , Y10S257/918
Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1－xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1－y－zN（其中，0≤y≤1、0
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公开(公告)号：CN1155061C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98102876.4
申请日：1998-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C09K13/08
Abstract: 一种用于腐蚀钛材料和氧化硅中至少一种的腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体。当该腐蚀剂具有小于1的NH4F/HCl克分子比时，只有钛材料被腐蚀。当该腐蚀剂具有大于1的NH4F/HCl克分子比时，只有氧化硅被腐蚀。当该腐蚀剂具有为1的NH4F/HCl克分子比时，钛材料和氧化硅被以相同的速率腐蚀。
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公开(公告)号：CN1481054A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03152677.2
申请日：2003-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/02252 , G11B7/1275 , G11B7/22 , G11B2007/0006 , H01L24/95 , H01L2224/95085 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/10329 , H01L2924/10349 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01S5/02236 , H01S5/4031 , H01L2924/00
Abstract: 本发明着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。
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公开(公告)号：CN1253363A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99122373.X
申请日：1999-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C17/242
CPC classification number: H01C17/23 , H01L27/0802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种调整用电阻和半导体装置具有相互并联连接的多个电阻。通过光的照射可分别切断多个电阻,通过切断多个电阻中的一部分电阻,可调整该调整用电阻的电阻值。
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公开(公告)号：CN103201898B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280003591.7
申请日：2012-05-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F38/14 , H01L23/48 , H01L23/645 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2224/32145 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/30107 , H01P1/20381 , H01P5/028 , H01P7/08 , H01P7/082 , H01P7/084 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种能够容易地集成化的电磁共振耦合器。具备传送基板（701）和反射基板（702），在传送基板（701）上设置有：第一共振布线（704），形成为环形状的一部分由第一开放部（726）开放的形状；第一输入输出布线（711），与第一共振布线（704）连接；第二共振布线（703），设置于第一共振布线（704）的内侧，形成为环形状的一部分由第二开放部（723）开放的形状；以及第二输入输出布线（710），与第二共振布线（703）连接；在反射基板（702）上设置有反射布线（707），该反射布线（707）形成为环形状的一部分由第三开放部（724）开放的形状；从与传送基板（701）的主面垂直的方向观察时，反射布线（707）和第一共振布线（704）及第二共振布线（703）重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102781845B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180011522.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C02F1/043 , C02F1/14 , C02F2103/08 , Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用淡水化装置淡化盐水的方法。淡水化装置在容器的内部具备通气性片、拨水颗粒层、槽层，槽层位于容器的下部，通气性片夹持在拨水颗粒层和槽层之间。通气性片具备贯通孔，拨水颗粒层由密集的多个拨水性颗粒构成，拨水性颗粒的表面具备拨水膜。通过如下工序来淡化盐水：向容器中注入盐水，使盐水配置在拨水颗粒层的表面上的工序；加热盐水，使得上述盐水蒸发形成水蒸气的工序；和将水蒸气液化，在槽层得到淡水的工序。
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公开(公告)号：CN103003968A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180033845.5
申请日：2011-06-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/325 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 一种管形状的热发电器件，其具有：沿器件的轴方向的内部贯通孔；由金属构成的多个第一杯状部件；由热电转换材料构成的多个第二杯状部件；第一电极；和第二电极。第一、第二部件沿上述轴方向交替反复配置。第一、第二电极各自设置于器件的一端和另一端。第一部件具有第一内表面和第一外表面，在下端具有第一贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。第二部件具有第二内表面和第二外表面，在下端具有第二贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。内部贯通孔包含多个第一、第二贯通孔。以第一部件的第一外表面与相邻的一个第二部件的第二内表面紧贴的方式，第一部件被插入到该第二部件。以第一部件的第一内表面与相邻的另一个第二部件的第二外表面紧贴的方式，该第二部件被插入到第一部件。
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公开(公告)号：CN102822982A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065680.5
申请日：2010-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。
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公开(公告)号：CN101523614B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200780038121.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN101976684A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010273937.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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