公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101689821A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880012659.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本笃史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括：驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是：将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上，使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动，将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。

公开(公告)号：CN101568951A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001272.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  井上学

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/288 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/294 ,  G09G3/2965

Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。

公开(公告)号：CN101976684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101675579B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880014850.X

申请日：2008-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森本笃史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/12 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02M7/219

Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作；在第二状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作；在第三状态下，第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通；在第四状态下，将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

公开(公告)号：CN102318048A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156615.0

申请日：2009-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：形成在基板(101)上的半导体层层叠体(105)、空出间隔地形成在半导体层层叠体(105)上的第一欧姆电极(111)及第二欧姆电极(113)、形成在第一欧姆电极(111)与第二欧姆电极(113)之间的第一控制层(117)、形成在第一控制层(117)上的第一栅电极(115)。第一控制层(117)具有：下层(117a)、形成在下层(117a)上且杂质浓度比下层(117a)的杂质浓度低的中层(117b)、形成在中层(117b)上且杂质浓度比中层(117b)的杂质浓度高的上层(117c)。

公开(公告)号：CN101675579A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014850.X

申请日：2008-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森本笃史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/12 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02M7/219

Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作；在第二状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作；在第三状态下，第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通；在第四状态下，将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

公开(公告)号：CN102460709B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201080026948.4

申请日：2010-01-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/432 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，其具备：输入端子(Vin1)，连接电源；和第1开关元件(10)，切换从电源提供的电力。第1开关元件(10)具备：半导体层叠层体(13)，由在基板(11)上形成的氮化物半导体组成；栅极电极(18)、第1欧姆电极(16)及第2欧姆电极(17)，在半导体层叠层体(13)上形成；和背面电极(20)，在基板(11)的背面形成。按照与第2欧姆电极(17)之间的电位差变小的方式从连接于输入端子(Vin1)的电源向背面电极(20)提供电位。在第1开关元件(10)处于导通状态的情况下，对背面电极(20)施加正电压的偏置。

公开(公告)号：CN102822982A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065680.5

申请日：2010-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上田大助 ,  上本康裕 ,  上田哲三

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。

公开(公告)号：CN101523614B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。