公开(公告)号：CN110197688A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910325862.4

申请日：2019-04-23

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥 ,  李路平 ,  吴巧 ,  汪兰叶

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器电路，包括输入模块，单片机模块U1，开关模块U2，电阻网络，滞回控制模块U3。其中，输入模块与单片机模块U1相连，用于配置忆阻器的阈值电压及电阻值；单片机模块U1与开关模块U2相连接，用于控制开关模块U2以实现对忆阻器的阈值电压及电阻值控制；开关模块U2分别与输入端Vin、单片机模块U1和电阻网络相连接，用于根据单片机模块U1的控制指令实现对电阻网络不同通道的选择；电阻网络的一端与开关模块U2相连接，另一端与滞回控制模块U3相连接，用于输出相应阻值的电阻；滞回控制模块U3与电阻网络、地连接，用于模拟忆阻器双向滞回特性曲线的产生。

公开(公告)号：CN109786466A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910066276.2

申请日：2019-01-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕伟锋 ,  王光义 ,  林弥 ,  孙玲玲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法，本发明包括如下步骤：在现有的FinFET制作工艺中，当完成沟道刻蚀后，在栅氧化层沉积之前，在沟道靠近漏端(drain)的一半沟道区域注入一定浓度和剂量的锗（Ge）离子，并且保持之后的现有工艺技术不做改变。因此，这种方法与以往的工艺具有很好的兼容性，制作过程并没有明显的增加工艺的难度与复杂度。另外，还提供了理论基础，以及提高的性能的计算方法。本发明提供了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法以满足一些现代电路对器件高频/高速性能越来越高的需求。

公开(公告)号：CN205377816U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620019105.6

申请日：2016-01-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥

IPC: H03K3/02

Abstract: 本实用新型公开了一种基于微分负阻NDR特性的三值T触发器电路。本实用新型包括三值三轨输出结构的NDR文字（literal）电路、基于微分负阻NDR特性的与非运算单元、基于微分负阻NDR特性的或非运算单元以及基于微分负阻NDR特性的MOBILE反相器单元。微分负阻器件可以用共振隧穿二极管RTD实现，也可以由晶体管构成的MOS-NDR等效网络来模拟微分负阻NDR特性。本实用新型提供了一种全新的三值T触发器结构类型。

公开(公告)号：CN201804866U

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201020221047.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  苏步春 ,  张亮 ,  张帆 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本实用新型由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。

公开(公告)号：CN205453648U

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201620013775.7

申请日：2016-01-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥

IPC: H03K3/02

Abstract: 本实用新型公开了一种具有预置功能的三值三轨输出NDR JK触发器。本实用新型包括三轨输出微分负阻NDR文字（literal）电路、基于微分负阻NDR特性的与非运算单元、基于微分负阻NDR特性的或非运算单元以及基于微分负阻NDR特性的MOBILE反相器单元。通过预置信号SET和RESET，可以实现置“0”、置“1”以及置“2”功能。本实用新型对三值NDR JK触发器电路进行了改进，弥补现有的不足，使电路功能更加完善。

公开(公告)号：CN203703777U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201320680688.3

申请日：2013-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥

IPC: F21S8/10 ,  F21V23/00 ,  F21V29/00 ,  F21W101/02

Abstract: 本实用新型公开了一种汽车用灯具。本实用新型电路包括灯具圆柱体，灯具圆柱体的周向上有三个灯槽位，顶面有一个灯槽位。周向上的每个灯槽位内有六颗5630/5730LED灯珠，每三颗串联为一列，共两列，列与列之间平行并排设置，每列之间相邻的5630/5730LED灯珠相隔0.5mm。本实用新型采用5630/5730极小灯珠间距的设计解决了功率太大则灯具散热不够，功率太小则亮度不够的问题。

公开(公告)号：CN201681942U

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201020154946.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张帆 ,  苏步春 ,  张亮 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。