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公开(公告)号：CN110069857A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910325845.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于负阻控制的忆阻器，包括第一负阻单元U1、第二负阻单元U2和推挽式结构U3。推挽式结构U3一端连接输入正弦电压，另外两端分别接第一负阻单元U1和第二负阻单元U2。第一负阻单元U1、第二负阻单元U2的另一端均接地。本发明提供一种可硬件实现、结构简单的基于负阻控制的忆阻器来模拟TiO2忆阻器的I-V特性，替代实际TiO2忆阻器进行研究与应用，为忆阻器的模型设计和硬件电路应用提供一些新思路。
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公开(公告)号：CN110197688A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910325862.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器电路，包括输入模块，单片机模块U1，开关模块U2，电阻网络，滞回控制模块U3。其中，输入模块与单片机模块U1相连，用于配置忆阻器的阈值电压及电阻值；单片机模块U1与开关模块U2相连接，用于控制开关模块U2以实现对忆阻器的阈值电压及电阻值控制；开关模块U2分别与输入端Vin、单片机模块U1和电阻网络相连接，用于根据单片机模块U1的控制指令实现对电阻网络不同通道的选择；电阻网络的一端与开关模块U2相连接，另一端与滞回控制模块U3相连接，用于输出相应阻值的电阻；滞回控制模块U3与电阻网络、地连接，用于模拟忆阻器双向滞回特性曲线的产生。
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公开(公告)号：CN110069857B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910325845.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于负阻控制的忆阻器，包括第一负阻单元U1、第二负阻单元U2和推挽式结构U3。推挽式结构U3一端连接输入正弦电压，另外两端分别接第一负阻单元U1和第二负阻单元U2。第一负阻单元U1、第二负阻单元U2的另一端均接地。本发明提供一种可硬件实现、结构简单的基于负阻控制的忆阻器来模拟TiO2忆阻器的I‑V特性，替代实际TiO2忆阻器进行研究与应用，为忆阻器的模型设计和硬件电路应用提供一些新思路。
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公开(公告)号：CN110197688B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910325862.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器电路，包括输入模块，单片机模块U1，开关模块U2，电阻网络，滞回控制模块U3。其中，输入模块与单片机模块U1相连，用于配置忆阻器的阈值电压及电阻值；单片机模块U1与开关模块U2相连接，用于控制开关模块U2以实现对忆阻器的阈值电压及电阻值控制；开关模块U2分别与输入端Vin、单片机模块U1和电阻网络相连接，用于根据单片机模块U1的控制指令实现对电阻网络不同通道的选择；电阻网络的一端与开关模块U2相连接，另一端与滞回控制模块U3相连接，用于输出相应阻值的电阻；滞回控制模块U3与电阻网络、地连接，用于模拟忆阻器双向滞回特性曲线的产生。
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