-
公开(公告)号：CN111908897B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010599308.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/04 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开MgO基微波陶瓷介质材料及其制备方法，该陶瓷介质材料化学计量比为：MgO+4mol％LiF+xCaTiO3或者MgO+4mol％LiF+xSrTiO3；本发明的技术方案，采用LiF降低MgO致密化烧结温度,节约能源消耗，降低生产成本，通过设定不同的烧结温度，能够得到微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。选用MTiO3(M＝Ca,Sr)系列温度系数调节剂加入MgO‑LiF基陶瓷，使之实现温度系数可调,得到温度稳定性更好的微波介质陶瓷。
-
公开(公告)号：CN111925207B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010648727.6
申请日：2020-07-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和Ba3(VO4)2，原料成分为MgO，H3BO3，BaCO3，NH4VO3。由于H3BO3高温烧结时升华分解的特性，因此H3BO3要进行在配平的基础上适度超量，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后通过调整Ba3(VO4)2在陶瓷体中的比例，合成不同性能的Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料。该复合陶瓷材料的介电常数范围是8.50～8.90，品质因数范围是44,000GHz～46,000GHz，温度系数范围是‑12.00ppm/℃～+4.00ppm/℃。
-
公开(公告)号：CN111087234B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911372134.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种具有优异温度敏感特性微波介质陶瓷及其制备方法，其主要原料为CaCO3、Al2O3高纯粉末，微波介质陶瓷的成分为Ca3Al2O6，其具体的制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结。本发明通过调控制备工艺和烧结温度获得一种具有优异温度敏感特性微波介质陶瓷Ca3Al2O6，在工业高温严苛环境如涡轮机、汽轮机、熔炉等的温度监控、探测领域中有重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN114267930A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111648425.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，属于微波无源器件技术领域。本发明包括顶面金属层、中间介质板及底面金属层，中间介质板内通过设置多个连接顶面金属层和底面金属层的金属化过孔，将顶面金属层与底面金属层之间分隔为四个谐振腔，第一、第二及第三谐振腔之间依次设有耦合窗；顶面金属层上刻蚀有连通第一与第四谐振腔的交叉耦合环形槽；该金属刻蚀槽在本专利中首次创新性提出，可在两个基片集成波导谐振腔间实现电容耦合，从而在滤波器的某些耦合拓扑结构中加入交叉耦合，引入传输零点。本发明在基片集成波导滤波器当中引入交叉耦合结构实现上下边频双零点，并且通过改变新颖电容耦合的结构参数，实现双零点的可控。
-
公开(公告)号：CN110885243B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911198591.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别是涉及一种低介电常数铝酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法，其制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒、压片、烧结。本发明制得的铝酸盐微波介质陶瓷的化学表达式为：CaAl4O7，主要原料为CaCO3，Al2O3。通过调控陶瓷的烧结温度合成的CaAl4O7陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，在无线通讯设备如微波基板、微波滤波器等元器件中有极大的应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110818419B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201911199257.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷LiF及其制备方法，其中，制备方法主要包括热压及后续热处理。通过调控热压工艺及后续热处理温度制备的LiF陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，介电常数εr为6.4～8.3，品质因数Qf值的范围为44011～122044GHz。本发明的微波介质陶瓷LiF在无线通讯设备，如微波基板、微波滤波器等元器件中，有极大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN111018524B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201911373497.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低损耗三方晶系钨酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷的化学通式为Ca3La2W2O12，空间群为R3m，主要原料为CaCO3、La2O3、WO3高纯粉末。制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结。本发明通过调控制备工艺和烧结温度获得的微波介质陶瓷具有以下特点：品质因数Qf为32850～50500GHz，介电常数εr为15.1～18.7，制备工艺简单，成本较低，过程环保。本发明所提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中介质谐振器、滤波器、天线等无源器件的核心材料。
-
公开(公告)号：CN113471677A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110632662.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开应用于无线局域网WLAN频段的带内陷波宽带天线。包括介质基板；辐射贴片，设置在介质基板的上表面；微带馈线，设置在介质基板的上表面，且与辐射贴片相连；金属接地板，设置在介质基板的下表面；其中：所述辐射贴片内开有第一槽，第一槽内设有轴对称的两辐射枝节；两辐射枝节不接触；每个辐射枝节均包括第一枝节、与第一枝节垂直设置的第二枝节；第一枝节的一端与辐射贴片连接，另一端与第二枝节连接；所述金属接地板刻蚀有第二槽，第二槽的位置与微带馈线相对应。通过调整第一槽底边离馈电端口的距离d进而调控VSWR的峰值大小；通过调整两辐射枝节之间的距离g进而调控VSWR的峰值位置。
-
公开(公告)号：CN113381191A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110586068.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的方向图及频率可重构微带天线及方法。本发明天线采用一种新型的混合石墨烯‑金属结构辐射面以改进传统的纯金属天线，所述混合石墨烯‑金属结构辐射面包括石墨烯调谐部分以及金属辐射体。结果表明，所提出的发明天线可以通过改变天线辐射面的石墨烯调谐部分的电场偏置进行动态重构，且由于本发明偶极子天线的辐射贴片保留了传统的金属材料，又极大的平衡了传统金属天线的辐射性能。此外，基于石墨烯材料的特殊性质，本发明天线能够实现对发明天线中三对引向器结构的具体控制，通过控制不同引向器结构的引向效果，从而实现本发明微带偶极子天线方向图可重构。
-
公开(公告)号：CN112876251A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110254894.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷及方法，方法包括以下步骤：(1)称取适量BaF2原料并与不高于25wt％的去离子水进行混合；(2)将步骤(1)所得的固液混合粉末置于圆柱体模具中，同时放入热压机中进行冷烧结，获得陶瓷生坯；(3)将步骤(2)的陶瓷生坯置入80‑200℃烘箱中烘干至恒重；(4)将步骤(3)的陶瓷生坯放入高温烧结炉中，在700‑950℃退火处理获得致密的BaF2微波介质陶瓷。利用本发明制备的BaF2陶瓷致密度可高达98％，其品质因数相比较于传统固相烧结法可提高53.4％以上，在5G高频段通讯领域中天线基板，谐振器等电子元器件中有广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
174
records
(took 0.057 seconds)
