公开(公告)号：CN110818419B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201911199257.3

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  黄玉辉 ,  吴施熠徽 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷LiF及其制备方法，其中，制备方法主要包括热压及后续热处理。通过调控热压工艺及后续热处理温度制备的LiF陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，介电常数εr为6.4～8.3，品质因数Qf值的范围为44011～122044GHz。本发明的微波介质陶瓷LiF在无线通讯设备，如微波基板、微波滤波器等元器件中，有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN110845226A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911198610.6

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  黄玉辉 ,  吴施熠徽 ,  宋开新

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有低介电常数和高品质因数的微波介质陶瓷材料SrGa2O4及其制备方法，主要原料为SrCO3、Ga2O3高纯粉末，制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结。通过调控制备工艺和烧结温度获得具有优异微波介电性能的低介电常数微波介质陶瓷材料SrGa2O4，在未来毫米波段无线通讯技术领域有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN110818419A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911199257.3

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  黄玉辉 ,  吴施熠徽 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷LiF及其制备方法，其中，制备方法主要包括热压及后续热处理。通过调控热压工艺及后续热处理温度制备的LiF陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，介电常数εr为6.4～8.3，品质因数Qf值的范围为44011～122044GHz。本发明的微波介质陶瓷LiF在无线通讯设备，如微波基板、微波滤波器等元器件中，有极大的应用价值。