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公开(公告)号：CN108983147A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810882924.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于室内定位技术领域，具体涉及一种基于移动终端的室内定位系统及方法。其中，基于移动终端的室内定位系统，包括：光源，布设于室内，用于发射具有ID编码的灯光；移动终端，用于接收光源发射的灯光以获取相应的ID编码，还用于获取移动终端的位置信息；云服务器，用于根据移动终端获取的ID编码以及移动终端的位置信息确定移动终端的位置坐标。本发明的基于移动终端的室内定位系统，通过移动终端自身的功能获取多种定位参数，结合云服务器的数据处理分析技术，提高了室内定位精度，降低室内定位系统复杂度。
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公开(公告)号：CN108318485A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711339146.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 基于激光照射不同材料对表面微结构成型影响的研究方法，其按如下步骤：步骤一：利用飞秒激光照射硅基板，硅基板形成表面凸起；步骤二：基于相场模型理论，构建数学模型，对硅基板凸起成型实验进行仿真分析；步骤三：选取导热系数不同的其他材料基板，重复步骤一及步骤二，获得不同材料基板凸起成型的规律。本发明利用飞秒激光照射硅基板产生表面凸起，并使用三维数值模型，即相场法去模拟和预测激光成型硅基表面形态，进而提出一种发明思路，飞秒激光照射其它材料形成的凸起是否符合相同的成型规律。
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公开(公告)号：CN108132302A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711019028.X
申请日：2017-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N29/11 , G01N29/032
Abstract: 本发明公开了一种不同温度下检测超声波穿透物体后强度变化的装置，包括恒温加热器、保护罩、多频超声发射端、超声强度检测端、两端夹紧装置、垂直超声发射端和球凹面超声反射端，保护罩固定在恒温加热器上，球凹面超声反射端通过固定螺母，固定在恒温加热器的中心，多频超声发射端设于恒温加热器的左上方，垂直方向在球凹面超声反射端的上方，超声强度检测端设于恒温加热器的右上方，水平方向上与多频超声发射端同轴，垂直超声发射端设于球凹面超声反射端的正上方，在垂直方向上同轴，在水平方向上高于多频超声发射端和超声强度检测端。本发明可获得在其他条件相同的情况下超声波在穿透不同状态的合金后强弱的对比。
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公开(公告)号：CN105932096B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610321459.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于多晶硅绒面加工技术领域，具体涉及一种多晶硅表面陷光微结构的加工方法。该加工方法具体步骤如下：步骤一、配制腐蚀溶液，然后将多晶硅置于腐蚀溶液中进行化学腐蚀加工多晶硅表面；步骤二、启动超声相控阵列设备，超声相控阵列产生的超声波在腐蚀溶液中传播并产生声辐射力，所述声辐射力控制腐蚀溶液中的腐蚀粒子朝着聚焦区域集中，所述聚焦区域能偏转，所述聚焦区域的偏转采用相控阵超声波束的时空控制实现，能定向加工多晶硅表面，得到多晶硅表面陷光微结构。本发明的加工方法工艺简单，将化学腐蚀与超声相控阵列进行复合，并通过超声相控阵列声束的偏转和聚焦对多晶硅表面定位加工，适应性好。
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公开(公告)号：CN106927421A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710046177.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面金属颗粒，干燥。本发明提出添加外电场来驱动贵金属离子，通过调整外加电场的方向来制备不同硅纳米线走向的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106583918A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611090441.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。本发明以通过改变激光的功率来控制硅基板上凸起形貌的大小。本发明不需要对硅基板整体进行高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷。
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公开(公告)号：CN106215986A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610656171.9
申请日：2016-08-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01L3/00
CPC classification number: B01L3/502707 , B01L3/5027 , B01L2200/10 , B01L2300/0838
Abstract: 本发明属于微流控芯片技术领域，具体涉及一种PDMS微流控芯片结构，包括从下而上依次布设的PDMS微流控下芯片、玻璃毛细管微流道和PDMS微流控上芯片，玻璃毛细管微流道的截面为圆形。本发明还公开了该PDMS微流控芯片结构的制备方法，包括如下步骤：1)玻璃微流道的制备；2)下层PMDS预聚体的浇筑；3)加热使下层PDMS预聚体处于半固化状态；4)将玻璃微流道按预设形状放置于下层PDMS预聚体的表面形成玻璃毛细管微流道；5)上层PMDS预聚体的浇筑，然后加热使上、下两层PDMS预聚体完全固化；6)打孔。该制备方法简单，无需PDMS浇注的阳模和键合等工艺及设备，生产成本较低。
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公开(公告)号：CN106021938A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610355855.5
申请日：2016-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G16C20/30
Abstract: 本发明公开了一种Ag2Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法，按如下步骤：一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag2Ga，用方程2Ag+Ga＝Ag2Ga表示，在整个计算模型中存在着三个密度场变量，定义Ag微粒为c1(x,y,z,t)，Ag2Ga纳米针为c2(x,y,z,t)，Ga微粒为c3(x,y,z,t)，c1为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比，c2为Ag2Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比，c3为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比；该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成，用如下方程表示：其中，Fch表示化学能量变化，Fgrad表示梯度能量变化；二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律，控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
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公开(公告)号：CN105439083A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510788271.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81C1/00 , B82Y40/00 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , B81C1/00539 , B82Y40/00 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种基于超声驻波场制备硅微纳结构阵列的方法，按如下步骤：(1)、配比腐蚀液：腐蚀液由HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液均匀混配而成；(2)、将步骤(1)的腐蚀液放入反应釜中，反应釜置于超声发生器形成的超声驻波场中，开启超声波电源，形成超声驻波场；(3)、将清洗后的单晶硅硅片放入反应釜中，腐蚀时间30-60min后，得到单晶硅微纳结构阵列。本发明将超声驻波场与传统的金属辅助化学腐蚀法结合，使反应过程中的金属催化剂颗粒在超声驻波场声辐射力的作用下积聚在超声驻波点，使金属催化剂颗粒呈线性阵列分布在单晶硅表面，随着腐蚀反应的进行，单晶硅表面会形成规则的微纳结构阵列。
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公开(公告)号：CN104883074A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510318878.4
申请日：2015-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M5/458
Abstract: 本发明公开了一种分形超声波电源装置，包括控制器，控制器与LCD显示屏、键盘、分开信号发生器相联，控制器通过第一保护电路与整流滤波电路、第一驱动电路相联，整滤波电路接入市电，分形信号发生器分别通过第一驱动电路、第二驱动电路与直流斩波电路、高频逆变电路相联，整流滤波电路依次通过直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器、网络匹配电路后与超声换能器相联，第二保护电路与直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器都相联，超声换能器分别通过电压采样、电流采样与信号放大电路相联，信号放大电路通过带通滤波器与控制器相联。
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