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公开(公告)号：CN117352229A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311170311.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本申请属于集成电路制造业用电子浆料技术领域的一种微纳银膏用有机载体、微纳银膏及其制备方法。所述方法通过选择特定的不同亲水指数的有机溶剂作为有机载体搭配具有特定水接触角的纳米银粉和微米银粉，并且结合有机载体与不同尺寸银粉的特定混合顺序，使得大比表面积的纳米银粉表面包覆的是亲水指数高的有机溶剂，微米银粉表面包覆的是亲水指数低的有机溶剂，进而使得纳米银粉表面和微米银粉表面的有机溶剂的挥发速度相接近，从而解决了纳米银粉表面有机溶剂挥发过快而造成局部团聚、粘度快速升高、影响微纳银膏使用性能的问题。
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公开(公告)号：CN116199822B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310443217.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C08F220/38 , C08F220/06 , C08F8/44 , G03F7/004 , G03F7/038
Abstract: 一种含羧基的树脂酸金，如化学式（iii），其是由甲基丙烯酸和2‑甲基‑2‑丙烯酸噻喃基甲基酯的共聚物与四氯金酸铵反应制得；进一步的，按质量份数计，将35~60份含羧基的树脂酸金、10~25份的光敏单体、1~5份的光引发剂、20~40份的有机溶剂、1~4份的有机金属盐和0.01~0.1份的阻聚剂溶解混合均匀得到负性光刻有机金浆料；该有机金浆料经过印刷、流平、预烘、曝光、显影、干燥、烧结后形成精细的导电线路，可用于高分辨和小型化的集成电路和元器件中。
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公开(公告)号：CN114833334B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210378429.9
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种可连续制备粒径较为均一的微米级球形金粉的方法。所述方法采用能有效降低外界环境对金粒形核干扰的“快速旋转形核法”，将含金母液与还原剂同时导入快速旋转形核反应器中，利用高速旋转切割产生的微纳液滴中迅速完成传质反应，形成巨量均一晶核，然后将晶核导入后置反应器中，继续完成球形金粉晶粒的可控生长，直到获得微米级粒径范围的球形金粉颗粒，再将所得微米级球形金粉沉淀洗涤、烘干，可获得粒径较为均一的球形金粉。采用本发明方法可以连续制备纯度高、分散性好、表面光滑、粒径分布较普通液相还原法更均一、平均粒径D50＝1～3μm的球形金粉。
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公开(公告)号：CN114538450B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
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公开(公告)号：CN116573938A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310829933.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C22C29/08
Abstract: 一种用于楔焊劈刀的碳化钨材料，其重量百分比组成：WC 76‑89.5%、TiC 5‑10%、Co 2‑8%、Ni 2‑8%、Cr2C3 0.2‑1%、VC 0.2‑1%、Mo2C 0.5‑2.5%、K 0.5‑5.5%；所述K为碳化钽铌或碳化钨钛固溶体，钽、铪、铌、铼或锆的碳化物中的至少一种；其制备，包括如下步骤，1.按设计组分配取各组分；2.依次将配取的各组分进行湿法混料球磨、干燥及筛分；3.将备用粉末和成型剂按比例混炼；4.将备用混合料模压成形碳化钨楔焊劈刀压坯；5.对模压成形的压坯进行脱脂烧结。该方法改善了不同材质引线键合时的耐磨损性能，适用于不同尺寸引线键合，进一步拓宽碳化钨材料的引线材质适用范围，提高了碳化钨材料在细丝和粗丝楔焊劈刀的适用性，提高了生产效率，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116497250A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310767687.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高模量铝基复合材料箔材及其制备方法，所述箔材的组分包括：10wt%‑40wt%的陶瓷颗粒、以及60wt%‑90wt%的铝或60wt%‑90wt%的铝合金；所述陶瓷颗粒的粒径≤20μm；所述高模量铝基复合材料的致密度≥99.8%，屈服强度≥220 MPa，延伸率≥3%，密度≤3g/cm3，弹性模量≥110GPa；高模量铝基复合材料箔材的厚度为0.08mm‑0.25mm。本发明公开的制备方法，首先采用热等静压以及热挤压制备得到了增强相均匀分布的近全致密高性能铝基复合材料初坯，再通过大变形开坯和交叉热轧制实现了增强相的均匀分散。通过热轧与冷轧相结合的方法，对加热、退火以及轧制工艺的控制，实现了难变形的高体积分数铝基复合材料箔材的轧制和性能的优化控制。
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公开(公告)号：CN114525451B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210117653.2
申请日：2022-02-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/54 , C22C38/56 , C22C38/58 , C22C1/03 , C22C30/00 , C22C33/06
Abstract: 本发明提出一种屏蔽型非等原子比高熵合金钢及其制备方法，以铁为基体，以高含量的钨、硼元素作为抗射线、中子辐射功能组元，并添加能够提高材料综合结构性能的过渡金属元素(镍、铬、钼、锰)、小原子半径元素(硅、碳)以及稀土元素(钆、钇)。该材料兼具优异的射线、中子屏蔽性能以及较好的力学性能、耐腐蚀性能，可满足核用抗辐射功能‑结构一体化需求，可采用常规熔炼法制备，无需变形加工及热处理，制造工艺简单、成本低，适于批量化工业生产。
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公开(公告)号：CN111014650B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201911155494.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于核辐射屏蔽工程应用技术领域的一种屏蔽γ射线和中子的高含钨非晶态球形铁基粉末及其制备方法，所述铁基粉末中钨元素的质量百分比为25％～55％，硼元素的质量百分比为：1％～3％，Si、Al以及不可避免的杂质质量百分比为0～0.1％，余量为铁。本发明所述粉末在制备过程中降低了合金熔化温度，有效避免了粉末内部元素的偏析现象，并且粉末的形状为非晶态类球形，流动性良好，振实密度高，在核辐射屏蔽工程应用领域中可以作为粉末填充物实现对γ射线和中子的屏蔽。
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公开(公告)号：CN114734043A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210197448.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高密度片状金属粉体制备方法，属于粉末冶金技术领域。本发明采用原料混合，熔化、气雾化制粉和筛分等工艺步骤实现了片状金属粉体制备。本发明通过采用低过热度、高导液管孔径、低压气雾化的技术思路，提高了雾化熔体的粘性，降低了单位质量熔体的能量输入，使气雾化粉体的形状由球形向片状转变。所获得的片状金属粉末具有大宽厚尺寸比，杂质少、产量大、氧含量低等优点。所获得的片状金属粉末为具有微晶、纳米晶或非晶组织的规整或不规整柳叶状。本发明的方法和设备工艺简单、高效，粉末质量高，适宜工业化生产。
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公开(公告)号：CN114619130A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210297252.X
申请日：2022-03-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铝铬硼靶材与铝硅合金背板的焊接方法，属于靶材制造技术领域。本发明通过采用铝硅合金粉末在高能球磨冲击下发生分散和塑性变形，在高体积分数铝铬硼靶材和铝硅合金背板表面形成高致密度强结合的铝硅合金涂层，降低了铝铬硼靶材和铝硅合金背板的物理、化学性能差异，通过后续的热等静压扩散焊接，实现了铝铬硼靶材和铝硅合金背板高强度、高焊合连接。本发明的方法和设备工艺简单、高效，适合批量化生产。
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