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公开(公告)号：CN105242738A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510828318.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电源技术领域，具体的说涉及一种无电阻基准电压源。本发明提供的一种无电阻基准电压源，包括正温系数电流源模块、基准电压产生模块和衬底偏置电压调整模块；所述正温系数电流源模块和衬底偏置电压调整模块分别与基准电压产生模块连接；其中，正温度系数电流源模块产生正温系数电流给工作在饱和区的NMOS管MN4提供偏置电流；衬偏调整模块为该NMOS管MN4调整衬底偏置电压，进而起到调整阈值的作用；该NMOS的栅极和漏极接在一起，输出基准电压，克服工艺波动对基准源输出带来的影响。本发明的有益效果为，采用无电阻技术减小版图面积同时输出低基准电压源，还可有效提高基准电压源精度。
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公开(公告)号：CN211744432U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020747886.7
申请日：2020-05-08
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本实用新型公开了一种用于流水线ADC的全差分放大器，包括：电压偏置电路、差分型放大器本体电路和开关电容共模反馈电路；通过差分型放大器本体电路的全差分的结构设计，提高信噪比，降低增益带宽积的需求，从而降低功耗，节能；通过开关电容共模反馈电路为差分型放大器本体电路提供共模反馈，使其具备高增益；通过电压偏置电路为差分型放大器本体电路提供稳定的电压偏置；相比于传统技术，还具有输入摆幅范围大，输出摆幅范围大和线性度高的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208299692U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201821085808.4
申请日：2018-07-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种适用于电流模BUCK变换器的二次斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。包括自适应电流产生模块、一次斜坡产生模块和二次斜坡产生模块，自适应电流产生模块采集电流模BUCK变换器输入电压的信息，然后产生一个和输入电压成正比的电流信号，即自适应电流；一次斜坡产生模块用于将自适应电流产生模块产生的自适应电流信号转化为一个和时间成正比的电压信号；二次斜坡产生电路由跨导线性环将一次斜坡，即一次斜坡产生模块产生的电压信号转化为二次斜坡。本实用新型产生的斜坡补偿信号可以确保在全占空比范围内系统环路都能维持稳定并且具有一个固定的品质因数，从而具有快速的瞬态响应特性，同时也解决了小占空比时出现的过补偿问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207352505U
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201721080404.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本实用新型的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。
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公开(公告)号：CN209487323U
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201920489714.1
申请日：2019-04-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点和金属封端镀层接触的第二金属触点，上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。本实用新型用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，为电子系统的小型化和高密度集成提供了更大的设计空间。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208335046U
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201821092691.2
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本实用新型提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208224883U
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201820788355.5
申请日：2018-05-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本实用新型与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212210975U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202021115641.9
申请日：2020-06-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本实用新型公开了一种自校准复合结构ADC，采用动态比较器替代传统普通型比较器，无静态直流功耗，大大降低了ADC整体功耗；考虑到ADC测量误差主要来源于具体工艺生产出的电容的容值与设计的容值之间的误差，增设了电容自校准模块，通过电容自校准模块对电容性数模转换模块的内部电容进行校准；采用全并行4位模数转换模块直接对模拟信号进行粗量化，得到高位数字信号，协同电容性数模转换模块与动态比较器的逐次比较环节，大大节省逐次比较的时间，提高ADC量化编码的速度，得以实现高速、高精度和低功耗的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208298053U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201821092761.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本实用新型提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本实用新型产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206945474U
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201720695701.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N9/00
Abstract: 本实用新型公开一种湿密度测试装置，包括水槽、挂秤架、电子秤、称量盘、不规则样品盒、环状样品架、电阻加热器、注水组件和排水组件，所述挂秤架的两个架脚分别固定于水槽两相对的侧面顶部，所述挂秤架上设有与其相对滑动的连接环，所述连接环通过连接绳与电子秤顶部连接，所述电子秤下方通过连接绳和挂钩与称量盘连接，所述不规则样品盒和环状样品架分别设置于水槽内侧壁靠近顶部的位置，所述电阻加热器设置于水槽内侧壁靠近底部的位置，所述注水组件和排水组件分别设置于水槽外侧壁靠近顶部和靠近底部的位置且与水槽内部连通。本实用新型可以快速、准确的测量环状或不规则块状样品湿密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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