公开(公告)号：CN107340796B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201710721679.7

申请日：2017-08-22

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  曹建文 ,  孙庆吉 ,  周泽坤 ,  凌味未

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使得基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入了高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本发明的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。

公开(公告)号：CN107340796A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710721679.7

申请日：2017-08-22

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  曹建文 ,  孙庆吉 ,  周泽坤 ,  凌味未

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使得基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入了高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本发明的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。

公开(公告)号：CN207352505U

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201721080404.1

申请日：2017-08-22

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  曹建文 ,  孙庆吉 ,  周泽坤 ,  凌味未

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压VCTAT相对于传统VBE大大降低了VBE的负温特性，正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT叠加得到基准电压。另外引入高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本实用新型的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。