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公开(公告)号：CN119788190A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411707681.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/61
Abstract: 本发明属于光通信领域，涉及一种基于最大后验概率符号判决误差的信号相位恢复方法、装置、设备及介质，其中方法包括以下步骤：对接收信号基于最大后验概率进行符号判决并计算符号判决误差；根据所述符号判决误差构建误差函数，并计算误差函数关于相位噪声值的梯度；沿着梯度下降的方向更新相位估计值；根据相位估计值进行符号的相位噪声恢复，得到相位恢复后的输出信号。与现有技术相比，本发明将误差梯度下降算法与高性能相位恢复相结合，用以满足相干传输中对由激光器线宽所产生的严重线性随机相位噪声的补偿需求；同时，基于符号判决误差的形式在提升相位噪声估计精度的同时，有效避免了时间窗的使用，缩减了计算复杂度。
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公开(公告)号：CN119676032A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411642865.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，具体为一种基于频域梳状导频信道估计的低复杂度数字预均衡器。本发明包括数据发送模块、信道响应测试模块、数字信号预均衡模块；数据发送模块包括初始梳状信号生成、频率分量相位旋转两部分；信道响应测试模块包括信号频差估计并恢复、信道幅频与相频响应测试两部分；数字信号预均衡模块包括滤波系数生成、发送信号卷积预均衡两部分；本发明通过发送频域梳状导频信号以分析信道幅频与相频响应，用以生成在发送端预补偿信道响应的预均衡器；具有高颗粒度、高精度、传输信号制式鲁棒等特点，本发明可以应用于偏振复用长距离单载波相干光传输、模式复用短距离强度调制直接检测系统等多种场景中。
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公开(公告)号：CN119628739A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411690388.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/2507
Abstract: 本发明属于光纤通信技术领域，具体为一种光纤通信系统采样频率偏移补偿方法。本发明补偿高速光纤通信系统中ADC和DAC导致的采样频率偏移，具体包含采样频率偏移补偿以及信号最佳采样点校准：具体利用滤波器均衡方式补偿采样频率偏移，对采样频率偏移补偿后的信号采用频域时移方法采样时刻点快速矫正；本发明方法实现简单、复杂度低、灵活性强。由于是在数字信号处理中实现，可极大地提升系统的灵活性。
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公开(公告)号：CN114203555B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111511478.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管及其制备方法。该具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在U型槽表面并延伸覆盖部分N阱区表面，且在一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖第一栅氧化层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；半浮栅晶体管的沟道紧贴U形槽的底部；控制栅介质层、控制栅和第二氮化硅层，依次形成在半浮栅上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层覆盖隧穿晶体管沟道区，并延伸覆盖部分第二氮化硅层，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在两侧的N阱区中。
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公开(公告)号：CN110856672B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201810974548.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 上海三友医疗器械股份有限公司 , 复旦大学附属华山医院 , 王少白
IPC: A61F2/42
Abstract: 本发明提供一种人工踝关节假体组件，包括：距骨植入件、胫骨组件和内衬块；距骨假体本体的内侧部包括相连接的内侧前部和内侧后部，外侧部包括相连接的外侧前部和外侧后部；内侧后顶圆弧面的半径大于内侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的曲率半径等于内侧后顶圆弧面的半径，外弧形凹陷部的曲率半径等于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的外侧壁与外弧形凹陷部的内侧壁相交处形成底部凸出边沿；内衬块的底部凸出边沿插入距骨顶部凹缝中；衬块顶面与胫骨组件连接。本发明的人工踝关节假体组件用于在踝关节置换手术中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115112499B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110300962.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 复旦大学附属华山医院
Abstract: 本发明提供了一种加载测试台及足踝创伤造模瞬态测控分析系统，其中，加载测试台具有这样的特征，包括机架部，包括底部机架、承载平台、多个导向立柱、限位套组、顶部平台，底部机架置于水平面上；加载部，包括旋转平台、旋转测控部、足部夹持工装、胫骨夹持工装、压力传感单元、下压平台以及直动液压执行器，旋转测控部用于带动旋转平台进行旋转以及收集并输出相应信息，直动液压执行器用于带动下压平台上下滑动；以及液压动力部，包括直线控制模块、恒压油源模块以及旋转控制模块，直线控制模块用于控制下压平台的上下滑动，旋转控制模块用于控制旋转平台的旋转运动，恒压油源模块用于通过液压技术来控制直线控制模块以及旋转控制模块。
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公开(公告)号：CN116613061A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310440155.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。
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公开(公告)号：CN116504617A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310440157.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN116314319A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310219230.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
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公开(公告)号：CN116314316A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211027.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
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