公开(公告)号：CN116314316A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310211027.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。

公开(公告)号：CN116246957A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310223425.8

申请日：2023-03-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄海 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/15

Abstract: 本发明提供了一种p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构的第一部分和隔离层之间形成空腔，若干层超晶格结构的第一部分包括间隔设置的N个鳍型单元，且位于空腔上方的N个鳍型单元的部分对应形成N个超晶格纳米线，栅金属分别从四周包裹每个超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的pAlGaN层、pGaN层；每层超晶格结构对应形成一导电沟道，本发明利用多个超晶格纳米线提高p型沟道GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属分别从四周完全关断所有导电沟道，提高了p型沟道GaN HEMT器件的栅控能力及开关性能，从而实现提高p型沟道GaN HEMT器件性能的效果。

公开(公告)号：CN115985909A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310185737.4

申请日：2023-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 潘茂林 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  张鹏浩 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明提供了一种GaN器件与SiC器件的集成芯片，包括：第一SiC衬底；GaN驱动电路，所述GaN驱动电路包括第一沟道层；所述第一沟道层外延形成于所述第一SiC衬底上，且直接接触所述第一SiC衬底；第一功率器件，所述第一功率器件与所述GaN驱动电路均形成于所述第一SiC衬底上；其中，所述第一SiC衬底的晶格常数适配于所述第一沟道层的晶格常数。本发明提供的技术方案，实现了GaN器件与SiC器件的集成的同时，保证了第一SiC衬底表面生长的第一沟道层的质量，实现了器件性能的提升。

公开(公告)号：CN112992895B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202110111817.6

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  张卫 ,  王晨 ,  徐赛生

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。

公开(公告)号：CN115621299A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211255257.2

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  杨妍楠 ,  樊蓉 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种外延结构的制备方法、氮化镓器件及器件制备方法，外延结构的制备方法包括：提供一衬底并对其进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD设备的反应腔中并通入H2、NH3进行高温处理；在高温处理后的衬底上生成AlN成核层；在AlN成核层上依次生长缓冲层以及GaN沟道层；在GaN沟道层上外延AlN空间插入层；在AlN空间插入层上外延AlxGaN势垒层；在AlxGaN势垒层上外延AIN钝化层；在AlN钝化层上外延SiN钝化层；上述SiN/AlN/AlxGaN/AlN/GaN层均在MOCVD设备的反应腔中原位进行。由于MOCVD高温生长的AlN为单晶，与GaN的晶格失配很小，因而可以形成较高质量的界面，极大改善其动态特性。使用该外延结构的氮化物半导体器件可以有效抑制器件的“电流崩塌”效应，同时提高氮化物半导体器件的耐压性能。

公开(公告)号：CN115548095A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211255572.5

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓器件，包括：衬底；沿远离衬底方向依次形成于衬底上的沟道层以及势垒层；形成于势垒层上的漏极、栅极和源极；钝化层，钝化层位于势垒层上，且覆盖所述栅极、源极与漏极，并填充栅极与源极以及栅极与漏极之间的间隙；金属互连层，贯穿钝化层，且分别与漏极、栅极和源极连接；栅极场板，栅极场板覆盖于栅极顶端的钝化层的表面上，且与源极金属互连层接触；其中，栅极包括：沿远离势垒层的方向依次形成的p‑GaN层、三族氮化物薄层以及栅金属层；三族氮化物薄层的材料是InN、AlN、InGaN或InAlN。因而本发明提供的技术方案可有效抑制器件的栅极漏电，及长期栅极电应力下产生的栅极击穿问题，实现了提高器件栅控能力和可靠性的目的。

公开(公告)号：CN115548013A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211255254.9

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  杨妍楠 ,  樊蓉 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路，包括：衬底；形成在所述衬底上第三区域的常开型氮化镓功率器件和第一区域与第二区域的负压驱动模块；其中，所述负压驱动模块用于保持所述常开型氮化镓功率器件在非工作状态时关断。解决了如何减少常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块之间因互连线或导线而产生的寄生电感的问题。实现了提高常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块的可靠性的技术效果。

公开(公告)号：CN115281887A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210979771.4

申请日：2022-08-16

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院(上海市青浦区中心医院)

Inventor： 范隆华 ,  郭振宇 ,  杨晓虎 ,  王晨 ,  朱广浪

IPC: A61F2/06 ,  A61F2/07

Abstract: 本发明涉及一种改良的支架型人工血管器，所述支架型人工血管系统包括近端人工血管和远端覆膜支架结构，二者采用外科缝合方式形成一体化支架型人工血管系统；其优点表现在：本发明主要针对近颅底型颈动脉体瘤手术过程中颈内动脉正常上界无法游离时，术中通过直接穿刺颈总动脉，把支架型人工血管远端的覆膜支架锚定在颈内动脉远端，近端人工血管自动贴服在颈总动脉内；在切除颈动脉体瘤前，完成颈内动脉的血运重建，避免目前有时紧急借用的支架移植物柔顺性差，输送通路距离长、手术难度大的缺点，同时也避免了出血和颅内缺血，减少了患者的缺血性并发症。

公开(公告)号：CN114783877A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210198169.7

申请日：2022-03-01

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 刘桃 ,  徐敏 ,  张卫 ,  汪大伟 ,  孙新 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  尹睿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上源漏可控限制外延的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构，在所述若干鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅结构，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；刻蚀所述鳍结构形成若干源/漏空腔；在相邻鳍结构之间形成沿所述第一方向排列的第一隔离层，以隔离相邻鳍结构之间的源/漏空腔；在所述源/漏空腔中外延源/漏层；去除所述第一隔离层。使得所述源/漏层的厚度可以限制在应力释放的临界厚度内，以实现减少因失配错位导致的应力弛豫现象；当然地，通过对所述源/漏层厚度的限制，可以限制源/漏层于栅极之间的的接触面的面积，从而限制寄生电容。

公开(公告)号：CN114366443A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111634099.7

申请日：2021-12-29

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院

Inventor： 王晨 ,  范隆华 ,  杨晓虎 ,  郭振宇

IPC: A61F13/08 ,  A61B5/1455

Abstract: 本发明涉及一种具有压力调节功能的分级压迫弹力袜，包括弹力袜，所述弹力袜包括若干弹力层，其中相邻的两弹力层之间弹力由下到上逐级递减；各所述弹力层上设有血氧饱和度监测装置4，每一层皆可设置若干组，其均匀环绕所述弹力层截面布置，各弹力层之间设有固定环，所述固定环与固定环之间还可以卡合，可以防止弹力层位置调节后发生移位；所述血氧饱和度监测装置4用于监测被测部位皮肤的含氧血红蛋白参数和脱氧血红蛋白参数；其优点在于，能实现压力梯度的分级，辅助血液向上回流入心脏，有效对抗重力作用，增加回心血量，缓解、改善下肢静脉和静脉瓣膜所承受的压力，能监测皮肤血氧饱和度，可以有效预防皮肤损伤，提高患者对压力治疗的依从性。