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公开(公告)号:CN111048984A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911391685.6
申请日:2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种双腔锁模并独立运转的全光纤激光器,所述第一光纤环形器、所述第一光耦合器、所述第一偏振控制器、所述第一可饱和吸收体和所述第二光纤环形器依次相连构成第一谐振腔;所述第二光纤环形器、第二偏振控制器、第二可饱和吸收体、第二光耦合器和所述第一光纤环形器依次相连构成第二谐振腔;所述第三光耦合器分别和所述第一光耦合器和所述第二光耦合器相连。本发明的有益效果是:本发明能实现双谐振腔同时锁模,且输出相同或不同类型的光脉冲,解决了现有激光器输出脉冲类型单一化问题。
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公开(公告)号:CN220232014U
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202322026022.2
申请日:2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本实用新型实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导,属于光电子器件技术领域,该狭缝波导包括:单晶硅层,所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体;二氧化硅层,所述二氧化硅层与所述单晶硅层相邻;狭缝,所述狭缝设置在所述单晶硅层上;缺陷部,所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中,所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔,进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽,并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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公开(公告)号:CN217060554U
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202123220495.3
申请日:2021-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G02B5/18
Abstract: 本实用新型公开一种新型光栅结构,包括基底和安装在基底上的光栅层,所述光栅层包括一个条形波导以及多个在条形波导两侧对称设置的子光栅,所述子光栅为矩形结构,同侧子光栅周期性排列,所述子光栅和条形波导的厚度相同。本实用新型提供的新型光栅结构可以有效抑制光栅的侧向发射,抑制双光斑,进而减小光栅之间的串扰。
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公开(公告)号:CN214375426U
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202120390086.9
申请日:2021-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本实用新型涉及光子集成电路,特别涉及一种大规模集成光子器件阵列控制电路。其中阵列控制电路由多个行、多个列相互连接构成可控光子器件的阵列式控制电路,各行、列的一端均设有作为阵列电路控制输入端的控制线,每根控制线连接一个独立的控制单元,控制单元为数模转换器DAC;大规模集成光子器件阵列控制电路包括脉冲阵列产生电路与节点驱动电路,每个行与每个列的交点构成了脉冲阵列产生电路的脉冲输出节点,每个脉冲输出节点上对应连接一个节点驱动电路。本电路可以实现对大规模集成光子器件阵列的同时控制,并且具有高度的可拓展性,可以显著降低控制电路的成本;并且通过整列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。
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公开(公告)号:CN218037583U
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202222206677.3
申请日:2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本实用新型提供了一种片上多物理场调控装置,包括信号发生器、光源及异质集成光调制器,信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接,信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器,光源输出光载波至异质集成光调制器,异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层,电光材料层覆盖在光波导层的表面,电极层设于电光材料层的表面,光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构。本实用新型提出的多物理场调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺,可以融合多介质材料的优势,结构上基于微纳结构的空隙结构,可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用,提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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公开(公告)号:CN212964621U
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN202021517728.9
申请日:2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本实用新型提供了一种基于模式分裂的亚波长光栅微环传感器,其包括含有谐振腔的微环波导和直波导耦合构成,所述微环波导为周期小于光波长的亚波长光栅微环结构,所述直波导为周期小于光波长的亚波长光栅波导结构。本实用新型技术方案的亚波长光栅微环传感器,具有高灵敏度、高通量、以及低噪声的特性,折射率灵敏度超过500 nm/RIU,表面灵敏度可达1 nm/nm,并且可通过对称性缺失形成自参考测量,实现单分子检测。同时,该传感器的制作工艺与半导体器件工艺可以兼容,因而可在芯片上集成多个传感器,从而实现高通量、低成本的检测。
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公开(公告)号:CN217716442U
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202220027385.0
申请日:2022-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G01D5/353
Abstract: 本实用新型提供了一种基于选择性模式调控的双模干涉传感器,包括双模波导(2),所述双模波导(2)上表面中间位置或上表面两侧位置设置有覆盖层(3),通过改变所述覆盖层(3)的宽度,能提高双模波导检测的灵敏度。本实用新型的有益效果是:本实用新型的双模干涉传感器保留了双模波导传感器单通道的简单结构、紧凑易于集成、适用于多路复用等优点,同时增大双模波导中两种模式的光程差变化实现灵敏度的提高。
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